恭喜台湾积体电路制造股份有限公司萧清泰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路装置与其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010513463.3，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权集成电路装置与其制造方法是由萧清泰;陈升照;匡训冲设计研发完成，并于2020-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路装置与其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种集成电路装置与其制造方法。使用填充电阻切换随机存取存储器单元之间的区域且改变高度以与较高电阻切换随机存取存储器单元及较矮电阻切换随机存取存储器单元二者的顶部对准的介电复合物，来解决在包括不同高度的电阻切换随机存取存储器单元的装置中形成提供一致结果的顶部电极通孔的问题。可在介电复合物之上形成刻蚀停止层，以在较高电阻切换随机存取存储器单元及较矮电阻切换随机存取存储器单元二者之上提供相等厚度的耐刻蚀介电质。介电复合物使刻蚀停止层横向延伸远离电阻切换随机存取存储器单元，以在即使通孔开口未对准时仍保持通孔开口与电阻切换随机存取存储器单元侧之间的分开。
本发明授权集成电路装置与其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：衬底；金属内连结构，形成在所述衬底之上；多个电阻切换随机存取存储器单元，形成在所述金属内连结构内，所述多个电阻切换随机存取存储器单元中的每一电阻切换随机存取存储器单元包括底部电极、顶部电极以及位于所述底部电极与所述顶部电极之间的电阻切换结构；以及通孔，将所述顶部电极连接到所述金属内连结构，其中所述通孔穿过低介电常数介电层；其中所述多个电阻切换随机存取存储器单元包括较小单元及较大单元；所述较小单元在高度上比所述较大单元短；且将所述顶部电极与所述低介电常数介电层分开的任何介电层在所述较大单元及所述较小单元之上具有相等的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号