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龙图腾网恭喜中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764506B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010492607.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其形成方法是由蔡巧明;张云香设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底；去除所述第一栅极结构的第一阻挡层和部分栅极层，使所述第一区域的栅极层顶面低于所述第二区域的栅极层顶面；在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底中形成应力外延层；在所述第一区域的栅极层表面和所述应力外延层表面形成金属硅化物层。本申请提供的半导体器件及其形成方法，通过在研磨工艺之前将第一区域的栅极层高度降低，使第一区域栅极层的高度低于第二区域栅极层的高度，保证在后续的研磨工艺中，不会研磨到第一区域的金属硅化物层，从而避免研磨工艺行为发生异常。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域、第二区域以及隔离第一区域和第二区域的隔离结构，所述第一区域的半导体衬底上形成有第一栅极结构，所述第一栅极结构的一端延伸至所述隔离结构，所述第二区域的半导体衬底上形成有第二栅极结构，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均包括栅介质层、位于栅介质层上的栅极层以及位于所述栅极层上的第一阻挡层，所述第一区域为中压器件区域，所述第二区域为低压器件区域，所述第一栅极结构中栅介质层的厚度大于所述第二栅极结构中栅介质层的厚度，所述第一栅极结构中栅极层的表面高于所述第二栅极结构中栅极层的表面；去除所述第一区域的第一阻挡层和部分栅极层，使所述第一区域的栅极层顶面低于所述第二区域的栅极层顶面；在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底中形成应力外延层；在所述第一区域的栅极层表面和所述应力外延层表面形成金属硅化物层。

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