恭喜长春中科长光时空光电技术有限公司张星获国家专利权
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龙图腾网恭喜长春中科长光时空光电技术有限公司申请的专利一种垂直腔面发射激光器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111478179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010449865.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制作方法是由张星设计研发完成，并于2020-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔面发射激光器及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种垂直腔面发射激光器，包括由下至上依次层叠的第一电极、衬底、第一反射镜层、量子点层、第一限制层、过渡层、掺杂层、第二限制层、第二反射镜层、浮雕层、第二电极，所述过渡层和所述掺杂层中分布有质子植入区，所述浮雕层包括刻蚀区和未刻蚀区，且垂直腔面发射激光器的中心线与所述浮雕层的交点位于所述刻蚀区内或所述未刻蚀区内。通过引入非共轴的浮雕层的偏移量来实现VCSEL阵列单元不同模式激射，实现长波长VCSEL的波长可调，制作工艺简单，同时解决了目前的表面浮雕技术在设计和制备过程中都需要表面浮雕中心和VCSEL台面中心严格对准的问题。本申请还提供一种具有上述优点的垂直腔面发射激光器制作方法。
本发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括由下至上依次层叠的第一电极、衬底、第一反射镜层、量子点层、第一限制层、过渡层、掺杂层、第二限制层、第二反射镜层、浮雕层、第二电极，所述过渡层和所述掺杂层中分布有质子植入区，所述浮雕层包括刻蚀区和未刻蚀区，且垂直腔面发射激光器的中心线与所述浮雕层的交点位于所述刻蚀区内或所述未刻蚀区内，通过非共轴浮雕层中心与所述中心线的偏差，输出不同波长。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长春中科长光时空光电技术有限公司，其通讯地址为：130000 吉林省长春市北湖科技开发区明溪路1759号E305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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