买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜阿克特莱特股份公司申请的专利光探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113841241B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080029171.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权光探测器是由塞盖·奥霍尼恩;马克西姆·谷列夫;丹尼斯·萨林设计研发完成，并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本光探测器在说明书摘要公布了：一种光探测器器件，该光探测器器件包括被布置成形成pn结的n型光吸收区15n和p型光吸收区15p以及连接到相应的接触VI、V2的n+接触区n+和p+接触区p+。光吸收区和接触区以n+pnp+顺序布置，使得在将n+接触与p+接触之间施加的电压从反向偏置切换为正向偏置之后，响应于光子吸收而在光吸收区中产生的电子和空穴分别朝向p+接触区和n+接触区漂移，这使电流在与入射光强度成反比的时间延迟之后开始在接触之间流动。

本发明授权光探测器在权利要求书中公布了：1.一种光探测器器件，包括：第一光吸收区和第二光吸收区，所述第一光吸收区和所述第二光吸收区由半导体材料构成，分别被掺杂n型和p型，其中，所述第一光吸收区和所述第二光吸收区被形成为在衬底上方被布置在彼此之上的相应的外延层，其中所述光吸收区被配置成当光入射在所述器件上时响应于光子的吸收而产生电子和空穴对；第一接触区和第二接触区，所述第一接触区和所述第二接触区由半导体材料构成并且分别被掺杂p型和n型，其中，所述接触区具有比所述光吸收区更高的掺杂浓度，并且分别被标记为p+和n+；以及第一接触和第二接触，所述第一接触和所述第二接触分别被连接到所述第一接触区和所述第二接触区，其中，所述第一光吸收区和所述第二光吸收区以及所述第二接触区和所述第一接触区以n+pnp+连续顺序被布置在所述衬底上方，使得在将所述第二接触与所述第一接触之间施加的电压被切换成使所述n+pnp+连续顺序的结从反向偏置变为为正向偏置之后，响应于光子吸收而在所述光吸收区中产生的电子和空穴分别朝向所述第一接触区和所述第二接触区漂移，这使电流在与入射的所述光的强度成反比的时间延迟之后开始在所述接触之间流动。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人阿克特莱特股份公司，其通讯地址为：瑞士洛桑；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。