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龙图腾网恭喜国巨电子(中国)有限公司申请的专利一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111341509B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010193567.0，技术领域涉及：H01C7/00；该发明授权一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法是由张琦;蔡东谋;简高柏设计研发完成，并于2020-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法，所述抗硫化芯片电阻器包括基板、两个正面电极、两个背面电极、电阻层、第一保护层、第二保护层、两个辅助电极层、两个真空镀膜层及两个电镀层。电阻层设置在所述基板的正上面，第一保护层在电阻层上面；第二保护层在所述第一保护层的上方；两个辅助电极层分别设置在两个所述正面电极上，两个所述辅助电极层分别与同侧的第二保护层连接；每一真空镀膜层位于所述基板的侧面；两个电镀层分别设置在所述基板的两个侧面，及靠近侧面的正背面。该结构牢固密封性强，可以有效地避免在冷热冲击下，接口缝隙的形成；有效地抵挡高温，高湿及油煮等严苛条件下的硫化侵蚀，耐候性更强。

本发明授权一种抗硫化芯片电阻器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种抗硫化芯片电阻器，其特征在于，包括：基板10，其具有正板面、背板面及侧面；背面电极1，其相间隔设置在所述基板10的背板面；正面电极2，其相间隔设置在所述基板10的正板面；电阻层3，其设置在所述基板10的正板面；第一保护层4，其覆盖在所述电阻层3上，且所述第一保护层4相对的两边分别连接与所述正面电极2上；第二保护层5，其覆盖在所述第一保护层4上，且所述第二保护层5相对的两边分别连接于所述正面电极2上；辅助电极层6，其分别设置在两个所述正面电极2上，且所述辅助电极层6分别与同侧的第二保护层5相交叠；真空镀膜层7，其对称设置于所述基板10的侧面，每个真空镀膜层7自所述辅助电极层6的上方向下延伸至背面电极1上，且真空镀膜层7覆盖于所述基板10的侧面；电镀层8，其分别对称覆盖与所述真空镀膜层7上，每个电镀层8自所述辅助电极层6的上方向下延伸至背面电极1上，且电镀层8覆盖所述背面电极连接于所述基板10上。

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