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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利雪崩光电二极管传感器和测距装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113287204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080008797.3，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权雪崩光电二极管传感器和测距装置是由八木慎一郎;若野寿史设计研发完成，并于2020-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本雪崩光电二极管传感器和测距装置在说明书摘要公布了：本发明旨在提高测距精度。根据本发明的雪崩光电二极管传感器包括第一半导体基板51和与所述第一半导体基板的第一面接合的第二半导体基板52。所述第一半导体基板包括以矩阵状排列的多个光电转换部21和用于将所述多个光电转换部彼此元件分离的元件分离部157。所述多个光电转换部具有第一光电转换部21。所述元件分离部具有第一元件分离区域157A和第二元件分离区域157B。所述第一光电转换部布置在所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域之间。所述第一半导体基板还包括排列于与第一面相对的一侧的第二面上并且排列于所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域之间的多个凹凸部181。所述第二半导体基板包括连接到所述多个光电转换部各者的读出电路22。

本发明授权雪崩光电二极管传感器和测距装置在权利要求书中公布了：1.一种雪崩光电二极管传感器，包括：第一半导体基板；和第二半导体基板，其接合到所述第一半导体基板的第一面，其中，所述第一半导体基板包括：以矩阵状排列的多个光电转换部；和用于将所述多个光电转换部彼此元件分离的元件分离部，所述多个光电转换部包括第一光电转换部，所述元件分离部具有第一元件分离区域和第二元件分离区域，所述第一光电转换部布置在所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域之间，所述第一半导体基板还包括多个凹凸部，所述多个凹凸部排列于与所述第一面相对的一侧的第二面上且排列于所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域之间，并且所述第二半导体基板包括连接到所述多个光电转换部各者的读出电路，所述读出电路用于检测光子已入射到所述多个光电转换部上的情况，其中，所述读出电路包括猝灭电阻器、与所述猝灭电阻器连接的数字转换器、与所述数字转换器连接的反相器、用于对从所述反相器输入的输出信号进行阻抗转换的缓冲器以及与所述猝灭电阻器连接的选择晶体管，其中，在所述选择晶体管处于接通状态期间，击穿电压以上的反向偏置电压施加到所述多个光电转换部。

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