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龙图腾网恭喜重庆中科芯亿达电子有限公司申请的专利一种多通道集成开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111030656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911422925.4，技术领域涉及：H03K17/08；该发明授权一种多通道集成开关电路是由郭灿;胥锐;王敬;冉建桥设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多通道集成开关电路在说明书摘要公布了：一种多通道集成开关电路，包含本体，本体上设有电源引脚，接地引脚，还设有若干信号输入端与若干触发输出端；本体内集成有至少三个相同结构的开关电路，任一所述开关电路均包括NMOS功率开关管、保护二极管与加速二极管；任一所述开关电路中，所述NMOS功率开关管的漏极与保护二极管的阳极相连，保护二极管的阴极与电源引脚相连，加速二极管的阴极与NMOS功率开关管的栅极相连，NMOS功率开关管的源极与加速二极管的阳极、接地引脚相连；任一所述信号输入端唯一对应连接一个NMOS功率开关管的栅极，所述触发输出端唯一对应连接一个NMOS功率开关管的漏极。本发明的开关保护功能较好，适用场景广，集成度高，利于小型化应用。

本发明授权一种多通道集成开关电路在权利要求书中公布了：1.一种多通道集成开关电路，包含本体，本体上设有电源引脚，接地引脚，还设有若干信号输入端与若干触发输出端；其特征在于：本体内集成有至少三个相同结构的开关电路，任一所述开关电路均包括NMOS功率开关管、保护二极管与加速二极管；任一所述开关电路中，所述NMOS功率开关管的漏极与保护二极管的阳极相连，保护二极管的阴极与电源引脚相连，加速二极管的阴极与NMOS功率开关管的栅极相连，NMOS功率开关管的源极与加速二极管的阳极、接地引脚相连；任一所述信号输入端唯一对应连接一个NMOS功率开关管的栅极，任一所述触发输出端唯一对应连接一个NMOS功率开关管的漏极；所述开关电路还包含触发控制保护电路；所述信号输入端经触发控制保护电路与NMOS功率开关管的栅极相连；所述触发控制保护电路包含触发器单元、比例积分电路单元，其中，触发器单元的输入与比例积分电路单元的输入均与信号输入端相连，比例积分电路单元的输出信号用于控制触发器单元的工作使能，触发器单元的输出对应连接至NMOS功率开关管的栅极；所述比例积分电路单元的比例放大倍数小于1；至少一路开关电路中，触发控制保护电路还包含电阻R2与电容C2；电阻R2的一端与信号输入端相连，电阻R2的另一端与电容C2、触发器单元的输入相连；电容C2的另一端与接地引脚电性相连；本体内还集成有防冲击电容，所述防冲击电容的两端分别与电源引脚、接地引脚电性连接。

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