恭喜半导体元件工业有限责任公司安德烈·康斯坦丁诺夫获国家专利权
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龙图腾网恭喜半导体元件工业有限责任公司申请的专利具有浪涌电流稳定性的肖特基整流器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113646901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980094692.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权具有浪涌电流稳定性的肖特基整流器及其制造方法是由安德烈·康斯坦丁诺夫设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有浪涌电流稳定性的肖特基整流器及其制造方法在说明书摘要公布了：描述了具有浪涌电流稳定性的SiC肖特基整流器，其可配置为提供多种类型的浪涌电流保护。不同的电流大小和特性可以与不同类型的浪涌电流事件有关。所描述的肖特基整流器结构在多种类型的浪涌电流场景中提供浪涌电流保护，同时最小化或减少如下情况，在一种环境中的解决方案不希望地减轻解决方案在另一种环境中的效果。
本发明授权具有浪涌电流稳定性的肖特基整流器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基整流器器件，其特征在于，所述肖特基整流器器件包括：碳化硅SiC层；形成在所述SiC层上的第一导电类型的沟道区域；有源区域，所述有源区域包括所述沟道区域以及形成在所述沟道区域内的多个多层本体的单位单元阵列；形成在所述沟道区域上并且在所述有源区域上延伸的金属接触部,其中，每个多层本体具有第二导电类型并且形成在所述沟道区域内并从所述金属接触部沿所述SiC层的方向延伸，每个多层本体包括与所述金属接触部相邻且具有第一掺杂浓度的第一层、与所述第一层相邻且具有小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二层、以及与所述第二层相邻且具有小于所述第二掺杂浓度的第三掺杂浓度的第三层；和用所述第二导电类型的连续本体包围所述有源区域的p-n二极管边缘，以及所述第二导电类型的深边缘本体阵列，所述第二导电类型的深边缘本体阵列平行于所述多个多层本体并且以与所述多个多层本体的周期相同的周期分布，所述深边缘本体阵列形成于所述p-n二极管边缘靠近所述SiC层的一侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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