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龙图腾网恭喜深圳市芯波微电子有限公司申请的专利VCSEL偏置电路及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111129946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911387316.X，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权VCSEL偏置电路及相关设备是由曹正军;刘飞;陈涛设计研发完成，并于2019-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本VCSEL偏置电路及相关设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种VCSEL偏置电路及相关设备，当该电路中运算放大器、晶体管M0、电阻Rt、参考电压源Vref、滤波电阻Rf和滤波电容Cf构成的反馈回路稳定时，运算放大器的同相输入端的电压和反相输入端的电压相等；当差分电路的第一输入端口和第二输入端口之间的电压为第一电压时，激光二极管上的电流与电阻Rt上的电流相同，当差分电路的第一输入端口和第二输入端口之间的电压为第二电压时，激光二极管上的电流为电阻Rt上的电流与调制电流源输出电流之差；其中，第一电压大于第二电压。采用申请实施例不影响输出级带宽，同时避免出现因阻抗不连续导致光眼图失真的问题。

本发明授权VCSEL偏置电路及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面激光发射器VCSEL偏置电路，其特征在于，包括：差分电路、电阻Rd、电阻Rt、PMOS晶体管M0、参考电压源Vref、调制电流源、运算放大器、滤波电阻Rf、滤波电容Cf和激光二极管；所述PMOS晶体管M0的源极连接至直流电压源VCC，所述PMOS晶体管M0的漏极连接至所述电阻Rd的第一端口、所述电阻Rt的第一端口和所述参考电压源Vref的正极，所述参考电压源Vref的负极连接至所述运算放大器的同相输入端，所述运算放大器的输出端口连接至所述PMOS晶体管M0的栅极，所述电阻Rd的第二端口连接至所述差分电路的第一端口，所述电阻Rt的第二端口连接至所述差分电路的输出端口，所述差分电路的输出端口连接至所述激光二极管的阳极和所述滤波电阻Rf的第一端口，所述滤波电阻Rf的第二端口连接至所述运算放大器的反相输入端和所述滤波电容Cf的第一端口，所述差分电路的第二端口连接至所述调制电流源的正极，所述调制电流源的负极、所述激光二极管的阴极和所述滤波电容Cf的第二端口均接地；所述差分电路包括：三极管Q0、三极管Q1、电阻R0和电阻R1；其中，所述三极管Q0的集电极和基极分别为所述差分电路的第一端口和第一输入端口，所述三极管Q1的集电极和基极分别为所述差分电路的输出端口和第二输入端口，所述三极管Q0的发射极与所述电阻R0的第一端口相连接，所述三极管Q1的发射极与所述电阻R1的第二端口相连接，所述电阻R0的第二端口和所述电阻R1的第一端口均连接至所述调制电流源的正极；当所述运算放大器、所述PMOS晶体管M0、所述电阻Rt、所述参考电压源Vref、所述滤波电阻Rf和所述滤波电容Cf构成的反馈回路稳定时，所述运算放大器的同相输入端的电压和反相输入端的电压相等；当所述差分电路的第一输入端口和第二输入端口之间的电压为第一电压时，所述三极管Q0处于导通状态，所述三极管Q1处于关闭状态，所述激光二极管上的电流Ivcsel＝Ibias，当所述差分电路的第一输入端口和第二输入端口之间的电压为第二电压时，所述三极管Q0处于关闭状态，所述三极管Q1处于导通状态，所述激光二极管上的电流Ivcsel＝Ibias-Imod；其中，所述第一电压大于第二电压，所述Ibias＝VrefRt，所述Imod为所述调制电流源的输出电流，所述参考电压源Vref为输出电压可调节的电压源；所述滤波电阻Rf和所述滤波电容Cf构成的时间常数大于预设时长，所述预设时长为所述第一电压或者第二电压的输入时长；所述滤波电阻Rf的阻值远远大于所述电阻Rt的阻值。

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