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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035847B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911355472.8，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法是由刘国友;李道会;齐放;李想;王彦刚;罗海辉设计研发完成，并于2019-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体模块技术领域，提出一种功率半导体模块低电感封装结构，包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元，所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构，所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相邻所述衬板之间通过第一键合线连接，相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组，所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子，用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感；还提出一种功率半导体模块低电感封装方法，其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。

本发明授权一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块低电感封装结构，其特征在于，包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元，所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构；所述双开关电路结构包括上开关电路结构和下开关电路结构，所述上开关电路结构和所述下开关电路结构形成主电流回路，辅助端子组包括两组分别连接第一衬板和第二衬板的子辅助端子，两组所述子辅助端子分别与所述上开关电路结构和所述下开关电路结构形成上开关控制回路与下开关控制回路；其中，所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相邻所述衬板之间通过第一键合线连接，相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组，所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子，用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感；所述功率端子组还包括交流功率端子，所述子功率端子包括正极功率端子与负极功率端子，相连的两所述衬板包括第一衬板和第二衬板，所述正极功率端子连接在所述第一衬板上，所述负极功率端子与所述交流功率端子均连接在所述第二衬板上，所述正极功率端子、所述负极功率端子与所述交流功率端子在竖直方向上均设置成蜿蜒结构；所述正极功率端子、所述负极功率端子和所述交流功率端子均为预弯折成型功率端子，所述正极功率端子包括正极安装部，所述正极安装部一侧连接有正极第一弯折部，所述正极第一弯折部下侧连接有向右延伸的正极竖向连接部，所述正极竖向连接部下侧依次连接有正极第二弯折部、正极水平连接部以及正极底部引脚部，所述正极底部引脚部连接在第一衬板上；所述负极功率端子包括负极安装部，所述负极安装部一侧连接有负极第一弯折部，所述负极第一弯折部下侧连接有向左延伸的负极竖向连接部，所述负极竖向连接部下侧依次连接有负极第二弯折部、负极水平连接部、负极第三弯折部以及负极底部引脚部，所述负极底部引脚部连接在第二衬板上；所述正极第二弯折部与所述负极第二弯折部的弯折方向相同，所述正极竖向连接部与所述负极竖向连接部重叠设置但不接触，所述正极水平连接部与所述负极水平连接部重叠设置但不接触。

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