恭喜联合微电子中心有限责任公司王淼获国家专利权
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龙图腾网恭喜联合微电子中心有限责任公司申请的专利一种柔性集成式阵列传感器及其晶圆级制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110793679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911245056.2，技术领域涉及：G01L1/16；该发明授权一种柔性集成式阵列传感器及其晶圆级制造工艺是由王淼;曾怀望;焦文龙;汪浩鹏;杨睿峰;张培健设计研发完成，并于2019-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性集成式阵列传感器及其晶圆级制造工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种柔性集成式阵列传感器及其制造工艺，其属于柔性传感器技术领域。所述阵列传感器包括硅晶圆和位于硅晶圆上的读出电路层、传感阵列层和聚合物衬底层。所述制造工艺包括：提供一硅晶圆，在该硅晶圆表面制作多个由m*n个传感单元构成的集成式阵列传感器；在各个阵列传感器之间对所述硅晶圆表面进行深槽刻蚀；在所述硅晶圆表面制作减薄支撑，将硅晶圆背面减薄至目标厚度使得各个阵列传感器所处的硅晶圆相互分离；其中，所述深槽的刻蚀深度等于或大于所述硅晶圆减薄后的目标厚度。该制造工艺能够克服现有采用硅基材料制作柔性阵列传感器阵列存在的减薄后芯片易翘曲破裂、机械划片损伤大的技术难点。
本发明授权一种柔性集成式阵列传感器及其晶圆级制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种柔性集成式阵列传感器，其特征在于，包括：读出电路层，其构造在一适于柔性应用的硅晶圆上，并包括若干个读出电路单元；传感阵列层，其与所述读出电路层堆叠构造，并包括若干个传感单元，每个所述传感单元均通过导电钨塞与一个所述读出电路单元连接以构成一个检测单元，这些检测单元在硅晶圆上呈m*n阵列化分布以形成检测阵列；其中，所述适于柔性应用的硅晶圆为厚度小于100μm的薄硅片；所述读出电路单元为采用半导体工艺制作的微集成电路。
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