恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈季丞获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910795814.1，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权半导体装置的结构及其形成方法是由陈季丞;黄伟立;吴俊逸;巫洸毅;黄宏麟;苏智宏;古进誉;陈承先设计研发完成，并于2019-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开一些实施例提供了一种形成半导体装置的结构的方法。此方法包括于半导体基板的上方形成钝化层。此方法还包括于钝化层的上方形成磁性元件。此方法还包括于磁性元件以及钝化层的上方形成隔离层，其中隔离层包括一高分子材料。再者，此方法包括于隔离层的上方形成导线，且导线延伸跨过磁性元件。
本发明授权半导体装置的结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体装置的结构的方法，包括：形成一钝化层于一半导体基板的上方；形成一磁性元件于该钝化层的上方，其中该磁性元件包含多个子层，且所述多个子层的各子层大于位于其上方的另一子层；形成一隔离层于该磁性元件以及该钝化层的上方，其中该隔离层包括一高分子材料；以及形成一导线于该隔离层的上方，其中该导线延伸跨过该磁性元件。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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