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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910782807.8，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权封装结构形成方法是由郑心圃;林柏尧;陈硕懋;许峯诚;林嘉祥设计研发完成，并于2019-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装结构形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及封装结构形成方法。一种封装结构包括形成在基板上的第一再分布结构，并且第一再分布结构包括第一导电线、第二导电线以及在第一导电线与第二导电线之间的第一重叠导电线。第一导电线具有第一宽度，与第一导电线平行的第二导电线具有第二宽度，并且第一重叠导电线具有大于第一宽度和第二宽度的第三宽度。封装结构包括形成在第一再分布结构上方的第一封装单元，第一封装单元包括第一半导体裸片和第一裸片堆叠，并且第一半导体裸片具有与第一裸片堆叠不同的功能。

本发明授权封装结构形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构形成方法，包括：在一载体基板上形成一介电层，其中上述载体基板包括一第一区域、一第二区域以及一第三区域，上述第三区域在上述第一区域与上述第二区域之间；在上述介电层上方形成一光致抗蚀剂层；在上述光致抗蚀剂层上执行一第一曝光工艺，以形成一第一单一曝光区；在上述光致抗蚀剂层上执行一第二曝光工艺，以形成一第二单一曝光区和一双重曝光区，其中上述双重曝光区的一宽度大于上述第一单一曝光区的一宽度；显影上述光致抗蚀剂层以形成一图案化光致抗蚀剂层；通过使用上述图案化光致抗蚀剂层作为一掩模来图案化上述介电层，以形成一沟槽；在上述介电层中的上述沟槽中形成一导电层，其中上述导电层包括在上述第一区域中的一第一导电线、在上述第二区域中的一第二导电线以及在上述第三区域中的一重叠导电线，并且上述导电层的上述重叠导电线的一第三宽度比起上述导电层的上述第一导电线的一第一宽度较宽；以及在上述导电层上方设置一半导体裸片和一裸片堆叠，其中上述半导体裸片具有与上述裸片堆叠不同的功能。

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