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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利3D芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112054002B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910492279.2，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权3D芯片封装结构及其制备方法是由吴政达;吕娇;陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2019-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种3D芯片封装结构及其制备方法，包括：重新布线层；第一电连接结构，位于重新布线层的第一表面；第一塑封层，位于重新布线层的第一表面；第二电连接结构，位于第一塑封层的表面；第二塑封层，位于第一塑封层的表面；第二塑封层在第一塑封层的表面的正投影与第一塑封层的表面相重合；芯片，倒装键合于重新布线层的第二表面；第三电连接结构，位于重新布线层的第二表面；第三塑封层，位于重新布线层的第二表面；第三塑封层在第一塑封层的表面的正投影位于第一塑封层的表面内；金属引线层，位于第三塑封层远离重新布线层的表面；焊球凸块，位于金属引线层远离第三塑封层的表面。本发明可以降低的3D芯片封装结构边缘碎裂的风险。

本发明授权3D芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3D芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述3D芯片封装结构的制备方法包括如下步骤：提供基底，于所述基底的一表面形成牺牲层；于所述牺牲层远离所述基底的表面形成重新布线层；于所述重新布线层远离所述牺牲层的表面形成第一电连接结构及第一塑封层；所述第一电连接结构位于所述第一塑封层内，所述第一电连接结构与所述重新布线层电连接；于所述第一塑封层远离所述重新布线层的表面形成第二电连接结构及第二塑封层；所述第二电连接结构位于所述第二塑封层内，且与所述第一电连接结构电连接；所述第二塑封层在所述第一塑封层的表面的正投影与所述第一塑封层的表面相重合；去除所述基底及所述牺牲层；提供芯片，将所述芯片键合于所述重新布线层远离所述第一塑封层的表面，所述芯片与所述重新布线层电连接；于所述重新布线层远离所述第一塑封层的表面形成第三电连接结构及第三塑封层；所述第三电连接结构位于所述第三塑封层内，且与所述重新布线层电连接；所述第三塑封层将所述芯片及所述第三电连接结构塑封；所述第三塑封层在所述第一塑封层的表面的正投影位于所述第一塑封层的表面内；于所述第三塑封层远离所述重新布线层的表面形成金属引线层，所述金属引线层与所述第三电连接结构电连接；于所述金属引线层远离所述第三塑封层的表面形成焊球凸块，所述焊球凸块与所述金属引线层电连接；于所述牺牲层的上表面形成所述重新布线层包括如下步骤：于所述牺牲层远离所述基底的表面形成底层介电层；于所述底层介电层远离所述牺牲层的表面形成塑封材料层；于所述塑封材料层远离所述底层介质层的表面形成种子层；对所述种子层及所述塑封材料层进行图形化处理；于所述底层介电层远离所述基底的表面形成布线介电层及金属叠层结构，所述金属叠层结构位于所述布线介电层内，且与所述种子层电连接；所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接；去除所述基底及所述牺牲层之后且将所述芯片键合于所述重新布线层远离所述第一塑封层的表面之前还包括去除所述底层介电层及所述塑封材料层的步骤。

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