恭喜台湾积体电路制造股份有限公司王朝勋获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109817603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810995566.0，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构是由王朝勋;尹煜峰;赵高毅;王美匀;张峰瑜;高承远设计研发完成，并于2018-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：导电层形成在金属栅极结构与接触部件之间，上述金属栅极结构包含高介电常数栅极介电层及栅极电极。导电层可选择性地沉积在栅极电极的上表面上方；或通过例如控制沉积的时间，而不具选择性地形成在栅极介电层及栅极电极的上表面上。导电层具有镶入栅极电极内的底部。导电层及接触部件可由不同的沉积技术形成，但导电层及接触部件可包含相同的组成。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：一金属栅极结构，其包括一栅极介电层及一栅极电极；一导电层，形成于该金属栅极结构的一上表面上，其中该导电层的一第一部分镶入于该栅极介电层的一上表面的下方，其中该导电层的该第一部分穿透该栅极电极，使得该导电层的量随着穿透深度的增加而减少；一层间介电层，设置于该金属栅极结构上，其中该导电层的一第二部分与该层间介电层直接接触；以及一接触部件，延伸穿过该层间介电层至该导电层，使得该接触部件与该导电层的一上表面直接接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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