恭喜三星电子株式会社金光洙获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利具有包括不同材料层的公共源线的存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112071847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010991841.9，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权具有包括不同材料层的公共源线的存储器件是由金光洙;张在薰;孙炳根设计研发完成，并于2017-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有包括不同材料层的公共源线的存储器件在说明书摘要公布了：一种存储器件包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。
本发明授权具有包括不同材料层的公共源线的存储器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括：单元区，包括第一衬底、多个栅电极层、多个沟道区、源极区、侧墙间隔物和公共源线，其中所述多个沟道区在垂直于所述第一衬底的上表面的方向上延伸并穿过所述多个栅电极层，所述源极区形成在所述第一衬底中并掺杂有n型杂质，所述侧墙间隔物将所述多个栅电极层划分为多个部分，所述公共源线连接到所述源极区并在所述侧墙间隔物之间沿所述方向延伸；以及外围电路区，包括第二衬底和布置在所述第二衬底上的多个外围电路器件；其中所述单元区和所述外围电路区在所述方向上堆叠；以及其中所述公共源线包括：第一层，布置在所述源极区上的所述侧墙间隔物之间；以及第二层，具有在所述侧墙间隔物之间的所述第一层上的阻挡层和在所述阻挡层上的金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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