恭喜苏州芯镁信电子科技有限公司;桂林聚联科技有限公司姚飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州芯镁信电子科技有限公司;桂林聚联科技有限公司申请的专利一种用于MEMS微镜的键合结构及形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119461235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510060922.X,技术领域涉及:B81B7/02;该发明授权一种用于MEMS微镜的键合结构及形成方法是由姚飞;秦志斌;沈方平;黄涌;周剑超设计研发完成,并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于MEMS微镜的键合结构及形成方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种用于MEMS微镜的键合结构及形成方法,包括SOI衬底、图形化键合层、键合衬底和隔离槽结构,图形化键合层位于SOI衬底和键合衬底之间;SOI衬底具有纵向贯穿的多个金属互联结构,金属互联结构和SOI衬底之间设有介质层;图形化键合层中至少部分区域位于金属互联结构上,金属互联结构与键合衬底通过图形化键合层电性连接;隔离槽结构纵向贯穿图形化键合层和键合衬底,并暴露多个金属互联结构中至少部分金属互联结构周侧的介质层。本申请在SOI衬底和键合衬底之间引入具有一定的厚度和图案的图形化键合层,在纵向上避免了两层硅材料间的非期望粘连,提升了SOI衬底和键合衬底的隔离有效性,进而提升应用于MEMS微镜中的电气隔离可靠性和稳定性。
本发明授权一种用于MEMS微镜的键合结构及形成方法在权利要求书中公布了:1.一种用于MEMS微镜的键合结构,其特征在于,包括SOI衬底、图形化键合层、键合衬底和隔离槽结构,所述图形化键合层位于所述SOI衬底和所述键合衬底之间;所述SOI衬底包括用于形成MEMS微镜的下梳齿的第一功能区,所述键合衬底包括用于形成MEMS微镜的上梳齿的第二功能区,所述第一功能区和所述第二功能区在纵向上通过所述图形化键合层电性隔离;所述SOI衬底具有纵向贯穿的多个金属互联结构,所述金属互联结构和所述SOI衬底之间设有介质层;所述图形化键合层中至少部分区域位于所述金属互联结构上,所述金属互联结构与所述键合衬底通过所述图形化键合层电性连接;所述隔离槽结构纵向贯穿所述图形化键合层和所述键合衬底,并暴露所述多个金属互联结构中至少部分金属互联结构周侧的介质层。
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