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龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种具有连贯P-Top层的横向双扩散金属氧化物场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510059314.7，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种具有连贯P-Top层的横向双扩散金属氧化物场效应晶体管是由耿志圣;计妮妮;陶然设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有连贯P-Top层的横向双扩散金属氧化物场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有连贯P‑Top层的横向双扩散金属氧化物场效应晶体管。本发明采用纵向P型注入层段的两端分别位于第一浅槽隔离区、第二浅槽隔离区下方，并利用纵向P型注入层段与横向P型注入层段连接的方式形成连贯的P型注入层，将器件表面的低阻路径区域和STI区域引入的掺杂优化连贯成一个整体，从而对低阻路径区域和STI区域的电场分布共同做调整，降低器件漂移区内局部电场强度。本发明通过减少位于第一、第二浅槽隔离区之间P‑Top层的纵向宽度提升电流性能，从而实现LDMOS器件的性能。本发明采用连贯型P‑Top层置于低阻路径区域，通过优化STI区域，改善击穿性能，提高器件的电场控制能力和器件性能。

本发明授权一种具有连贯P-Top层的横向双扩散金属氧化物场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有连贯P-Top层的横向双扩散金属氧化物场效应晶体管，包括：P型衬底1、高压N型漏区2、N型漂移区3、P型注入层4、N型漏区5、第一浅槽隔离区6、第二浅槽隔离区7、P型体区8、N型源区9、P型区10、栅极11；其特征在于：所述P型注入层4为一体成型结构，包括一个横向P型注入层段4-1、至少一个纵向P型注入层段4-2；其中，所述横向P型注入层段4-1位于第一浅槽隔离区6、第二浅槽隔离区7间的N型漂移区3内上方；所述纵向P型注入层段4-2包括一体成型的第一P型注入层子段4-2-1、第二P型注入层子段4-2-2、第三P型注入层子段4-2-3，所述第一P型注入层子段4-2-1、第三P型注入层子段4-2-3分别位于第一浅槽隔离区6、第二浅槽隔离区7下方，第二P型注入层子段4-2-2位于所述第一浅槽隔离区6、第二浅槽隔离区7间，且第二P型注入层子段4-2-2的两端分别连接第一P型注入层子段4-2-1、第三P型注入层子段4-2-3，并延伸至中段位于所述第一浅槽隔离区6、第二浅槽隔离区7间的N型漂移区3内上方。

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