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龙图腾网恭喜浙江拓感科技有限公司申请的专利探测器芯片材料性能和工艺能力的验证器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510049455.0，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权探测器芯片材料性能和工艺能力的验证器件是由张传杰;孙维国设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本探测器芯片材料性能和工艺能力的验证器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种探测器芯片材料性能和工艺能力的验证器件，属于红外探测器芯片制造领域。在GaSb衬底上生长的nBp叠层结构的红外探测器材料，集成了包括：大小不同光敏元面积的芯片结构；多个金属‑绝缘层‑半导体结构且其中至少有一个金属‑绝缘层‑半导体结构中的电容面积是其它电容面积的1000‑20000倍；在n型电极层和p型电极层分别分布间隔不等的矩形电极所形成的传输线模型结构；多组光敏元且每组光敏元包括待测光敏元以及四个相同面积的相邻光敏元。该验证器件可较全面评价探测器芯片材料性能和探测器芯片工艺能力，为迭代材料结构设计和优化芯片制造工艺参数提供重要参考数据。

本发明授权探测器芯片材料性能和工艺能力的验证器件在权利要求书中公布了：1.一种探测器芯片材料性能和工艺能力的验证器件，其特征在于，在GaSb衬底上生长的nBp叠层结构的红外探测器材料，集成了包括：大小不同光敏元面积的芯片结构；多个金属-绝缘层-半导体结构且其中至少有一个金属-绝缘层-半导体结构中的电容面积是其它电容面积的1000-20000倍，该电容作为电容-电压特性测试时的公共电极；在n型电极层和p型电极层分别分布间隔不等的矩形电极所形成的传输线模型结构；多组光敏元且每组光敏元包括待测光敏元以及四个相同面积的相邻光敏元，四个相邻光敏元与待测光敏元之间的间距都相同，不同组光敏元中的所述间距不同，在每组光敏元中，金属化层遮住四个相邻光敏元，待测光敏元在小光点的照射下测试四个金属化层屏蔽的相邻光敏元的响应，四个相邻光敏元中每个光敏元的响应除以待测光敏元的响应得到串扰率。

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