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龙图腾网恭喜天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请的专利反应腔室、表面处理方法及半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510038732.8，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权反应腔室、表面处理方法及半导体设备是由宋伟健;高智伟;母凤文;谭向虎;刘福超设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本反应腔室、表面处理方法及半导体设备在说明书摘要公布了：本发明属于半导体加工装备技术领域，公开了一种反应腔室、表面处理方法及半导体设备，该反应腔室包括支撑板、第一定位台、吸附组件、第二定位台和驱动件，第一定位台绝缘固定安装在支撑板上，第一定位台用于承托晶圆或蓝膜晶圆，吸附组件包括若干个顶针，顶针滑动穿设于第一定位台和支撑板，第二定位台用于承托蓝膜晶圆，第二定位台凸出于支撑板的最大高度大于或等于顶针凸出于支撑板的最大高度，驱动件通过安装架固定安装于支撑板，驱动件能驱动顶针沿第一定位台和支撑板滑动，且能同时驱动支撑杆沿支撑板滑动。该反应腔室结构简便，降低了设备成本。本发明的半导体设备包括上述反应腔室。本发明的表面处理方法采用上述反应腔室完成。

本发明授权反应腔室、表面处理方法及半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种反应腔室，其特征在于，包括：支撑板100，所述支撑板100的上方间隔设置有上电极板；第一定位台200，绝缘固定安装在所述支撑板100上，所述第一定位台200用于承托晶圆20或蓝膜晶圆30，所述第一定位台200形成与所述上电极板相对的下电极板，所述第一定位台200凸设有用于限位所述晶圆20或用于承托所述蓝膜晶圆30的环形凸缘210；吸附组件，包括若干个顶针310，所述顶针310滑动穿设于所述第一定位台200和所述支撑板100，所述顶针310用于吸附晶圆20；第二定位台，通过支撑杆500滑动穿设于所述支撑板100，所述第二定位台位于所述第一定位台200的外侧，所述第二定位台用于承托蓝膜晶圆30，所述第二定位台凸出于所述支撑板100的最大高度大于或等于所述顶针310凸出于所述支撑板100的最大高度；驱动件600，通过安装架700固定安装于所述支撑板100，所述驱动件600能驱动所述顶针310沿所述第一定位台200和所述支撑板100滑动，且能同时驱动所述支撑杆500沿所述支撑板100滑动。

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