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龙图腾网恭喜英利能源发展有限公司申请的专利背接触太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510031498.6，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权背接触太阳能电池及其制备方法是由于波;张伟;王子谦;孟庆超;郎芳;赵亮;闫美楠;邢博;李永康;李晨曦;夏新中;史金超;刘莹;麻超设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括在n型硅片背面沉积隧穿氧化层和掺杂多晶硅层后，先将高温银浆烧结在硅片背面N区预先设计的叉指状区域，形成第一电极；然后通过激光消融背面P区叉指状区域内的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层和掩膜层；再在n型硅片背面沉积非晶硅层和TCO层；然后在P区的TCO层上烧结低温银浆形成第二电极；最后通过激光扫描高温银浆烧结后形成的栅线，将栅线上及其周围的非晶硅层、TCO层和掩膜层消融，使第一电极与第二电极隔离。由于采用高温银浆部分替代低温银浆，降低了浆料的使用成本；通过激光扫描栅线消融，不需要单独制作gap区，简化了制作工艺，降低了制造成本。

本发明授权背接触太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤一，对n型硅片1进行单面制绒或双面制绒；步骤二，在制绒后的n型硅片1背面依次沉积隧穿氧化层2和掺杂多晶硅层3；步骤三，在所述n型硅片1正面沉积钝化层10；步骤四，在所述n型硅片1正面的所述钝化层10上以及背面的所述掺杂多晶硅层3上分别沉积掩膜层4；步骤五，在所述n型硅片1背面N区烧结高温银浆；步骤六，激光消融所述n型硅片1背面未烧结高温银浆的P区，露出所述n型硅片1；步骤七，在所述n型硅片1的背面整体沉积非晶硅层5；步骤八，在所述非晶硅层5上沉积TCO层6；步骤九，在n型硅片1背面P区的TCO层6上烧结低温银浆，形成第二电极9；步骤十，激光消融高温银浆顶部及周围的TCO层6、非晶硅层5，使烧结的高温银浆形成孤岛，构成第一电极7。

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