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龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利具有特定接触层的背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510026033.1，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权具有特定接触层的背接触电池及其制备方法是由林楷睿设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有特定接触层的背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种具有特定接触层的背接触电池及其制备方法。具有特定接触层的背接触电池，包括硅片、第一半导体层和第二半导体层；硅片具有背光面和受光面；第一半导体层和第二半导体层交替排列设置于背光面上；第一半导体层至少包含N型掺杂多晶硅层，N型掺杂多晶硅层包含掺氢N型多晶硅层和掺氘N型多晶硅层，第二半导体层至少包含P型掺杂非晶硅层，P型掺杂非晶硅层包含掺氢P型非晶硅层和掺氘P型非晶硅层。本申请能够大幅提高第一半导体层和第二半导体层的表层致密性和稳定性，防止两半导体层在制程过程中表面自然氧化或受溶液腐蚀，进而降低第一半导体和第二半导体层与透明导电层的接触电阻，提高电池的FF。

本发明授权具有特定接触层的背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有特定接触层的背接触电池，包括：硅片，所述硅片具有背光面和受光面；第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层交替排列设置于所述背光面上；其特征在于，所述第一半导体层至少包含N型掺杂多晶硅层，所述N型掺杂多晶硅层包含依次设置的掺氢N型多晶硅层和掺氘N型多晶硅层，所述第二半导体层至少包含P型掺杂非晶硅层，所述P型掺杂非晶硅层包含依次设置的掺氢P型非晶硅层和掺氘P型非晶硅层；所述第一半导体层还包括隧穿氧化硅层，所述隧穿氧化硅层的厚度为1-2nm；所述N型掺杂多晶硅层的总厚度为80-150nm，所述掺氢N型多晶硅层与所述掺氘N型多晶硅层的厚度比为1：0.1-0.7；所述掺氢N型多晶硅层的厚度为70-140nm，氢掺杂浓度为1*1020-5*1022cm-3，磷掺杂浓度为1*1019-9*1020cm-3；掺氘N型多晶硅层的厚度为10-50nm，所述掺氘N型多晶硅层的氘掺杂浓度为1*1020-5*1022cm-3，磷掺杂浓度为1*1019-9*1020cm-3；所述第二半导体层还包括本征氢化非晶硅层，所述本征氢化非晶硅层的厚度为3-9nm；所述P型掺杂非晶硅层的总厚度为8-15nm，所述掺氢P型非晶硅层与所述掺氘P型非晶硅层的厚度比为1：0.3-1；所述掺氢P型非晶硅层的厚度为4-10.5nm，氢掺杂浓度为3*1020-6*1022cm-3，硼掺杂浓度为1*1018-7*1019cm-3；所述掺氘P型非晶硅层的厚度为2.4-7.5nm，所述掺氘P型非晶硅层的氘掺杂浓度为5*1020-9*1022cm-3，硼掺杂浓度为1*1018-9*1019cm-3。

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