金阳(泉州)新能源科技有限公司林楷睿获国家专利权
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龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种联合钝化背接触电池及其后制绒制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510026025.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种联合钝化背接触电池及其后制绒制备方法是由林楷睿设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种联合钝化背接触电池及其后制绒制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种联合钝化背接触电池及其后制绒制备方法，包括：S102、在硅基底背面依次形成第一半导体层和掩膜层；S103、进行清洗制绒，以在硅基底受光面形成制绒面，受光面制绒面的金字塔最大高度为T1；S104、在硅基底受光面依次形成钝化层和减反层；S105、形成第二半导体开口区；S106、进行清洗刻蚀，至少在硅基底背面第二半导体开口区内形成凹槽结构；S107、在背面沉积第二半导体层，第二半导体层包含非晶钝化层和第二掺杂硅层。本发明能够在简化工艺步骤、降低材料成本的情况下降低第二半导体开口区界面接触电阻，提升少子寿命，提升电池效率和双面率。
本发明授权一种联合钝化背接触电池及其后制绒制备方法在权利要求书中公布了：1.一种联合钝化背接触电池的后制绒制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S101、提供双面抛光的硅基底；S102、在硅基底背面依次形成第一半导体层和掩膜层；第一半导体层包含隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层；S103、进行清洗制绒，以在硅基底受光面形成制绒面，受光面制绒面的金字塔最大高度为T1；S104、在硅基底受光面依次形成钝化层和减反层；S105、在S104所得背面进行第一激光刻蚀开口，形成第二半导体开口区；S106、进行清洗刻蚀，至少在硅基底背面第二半导体开口区内形成凹槽结构，控制硅基底背面第二半导体开口区的底部与第一掺杂多晶硅层的顶部之间的最大高度为T2，第二半导体开口区凹槽结构底部不具有金字塔结构或者第二半导体开口区凹槽结构底部具有金字塔结构且该金字塔的最大高度为T3，且满足T2＞T1≥T3，0＜T3≤6μm；S107、在背面沉积第二半导体层，第二半导体层包含非晶钝化层和第二掺杂硅层。
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