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龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利激光拼接开口处理的背接触太阳电池及制备方法、电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510026034.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权激光拼接开口处理的背接触太阳电池及制备方法、电池组件是由林楷睿;许志设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本激光拼接开口处理的背接触太阳电池及制备方法、电池组件在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种激光拼接开口处理的背接触太阳电池及制备方法，通过在第一半导体区开口采用激光双线拼接方式进行开口，可以增加第一半导体区有效面积，同时由于拼接交叉位置经过两次激光处理，相对于开口区其他位置而言减薄了拼接区域N型掺杂多晶硅层厚度，从而增强PN结电池内光生载流子的收集，从而有效提升电池的转换效率；此外，由于最小拼接宽度大于银浆电极细栅线宽度，保证了电池电流收集的最大化，有利于提高电池短路电流Isc，进一步提升电池的光电转换效率。

本发明授权激光拼接开口处理的背接触太阳电池及制备方法、电池组件在权利要求书中公布了：1.一种激光拼接开口处理的背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：S01、提供一硅片，并将硅片双面抛光；S02、在硅片的背面依次制备隧穿氧化硅层和N型掺杂多晶硅层，从而得到第一半导体层；S03、在第一半导体层的表面制备第一掩膜层；S04、在硅片的背面第一次刻蚀开口，去除部分掩膜层及对应部分的第一半导体层，形成交替排列的第二半导体开口区；S05、通过制绒清洗在硅片正面形成金字塔绒面，同时在硅片背面去除第二半导体区内的第一半导体层之后去除第一掩膜层，形成单面制绒、单面抛光结构的硅片；S06、在硅片正面依次制备钝化层和减反层，以及在硅片背面制备第二半导体层，所述第二半导体层为本征非晶硅层与P型掺杂非晶硅层或P型微晶硅层；S07、在硅片背面第二次刻蚀开口，形成与第二半导体区交替排列的第一半导体开口区，所述的第一半导体开口区的宽度为150-350um；所述的第一半导体开口区采用双线拼接方式进行激光刻蚀，双线拼接的宽度为W3，W3为50-200um；S08、硅片清洗去除第一半导体开口区内的钝化层后，在硅片背面沉积透明导电膜层；S09、在第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的所述透明导电膜层上进行开口，形成隔离槽；S10、在硅片背面的透明导电层上形成间隔排列的绝缘油墨层；S11、在硅片的背面印刷银浆细栅线及银浆主栅线，以形成银浆栅线电极，所述银浆细栅线印刷宽度为Wxs，Wxs为40-100um，且WxsW3。

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