金阳(泉州)新能源科技有限公司林楷睿获国家专利权
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龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种改善接触特性的背接触电池及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119451306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510026036.5,技术领域涉及:H10F77/20;该发明授权一种改善接触特性的背接触电池及其制备方法和应用是由林楷睿设计研发完成,并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善接触特性的背接触电池及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种改善接触特性的背接触电池及其制备方法和应用,在透明导电膜层的表层至少部分掺杂金属材料形成掺杂区,掺杂区中金属材料掺杂浓度平均值为1e18cm‑3‑5e22cm‑3,透明导电膜层中氧空位占所含氧原子总量的比例为5%‑60%,且N型区金属电极和P型区金属电极各自对应接触的透明导电膜层上均分别设置掺杂区。本发明能够很好的匹配背面不同极性的半导体,改善金属电极和透明导电膜层、透明导电膜层和半导体层的接触特性,增强透明导电膜层的导电能力,降低透明导电膜层电阻率,从宏观测量上体现出整体电阻减小的效果,从而提升电池效率。
本发明授权一种改善接触特性的背接触电池及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种改善接触特性的背接触电池,包括硅片,在硅片背面设置的包含交替排布的N型半导体区和P型半导体区的半导体分布层,在半导体分布层外表面设置的透明导电膜层,且在N型半导体区和相邻P型半导体区之间的交界区域对应透明导电膜层上开设隔离槽,以及在N型半导体区和P型半导体区的各自对应透明导电膜层外表面设置的N型区金属电极和P型区金属电极,N型半导体区和P型半导体区均包含硅层,其特征在于,所述透明导电膜层的表层至少部分掺杂金属材料形成掺杂区,掺杂区中金属材料掺杂浓度平均值为1e18cm-3-5e22cm-3,透明导电膜层中氧空位占所含氧原子总量的比例为5%-60%,且N型区金属电极和P型区金属电极各自对应接触的透明导电膜层上均分别设置掺杂区,其中,当金属材料在硅层中呈受主杂质的金属时,N型半导体区对应的掺杂区的掺杂深度D1为透明导电膜层厚度的20%-90%,P型半导体区对应的掺杂区的掺杂深度D2为透明导电膜层厚度的30%-100%;且D1小于D2;当金属材料在硅层中呈施主杂质的金属时,N型半导体区对应的掺杂区的掺杂深度D1为透明导电膜层厚度的30%-100%,P型半导体区对应的掺杂区的掺杂深度D2为透明导电膜层厚度的20%-90%;且D1大于D2。
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