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龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利具有特定激光开口方式的背接触电池后制绒制法及电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510026028.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权具有特定激光开口方式的背接触电池后制绒制法及电池是由林楷睿;许志设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有特定激光开口方式的背接触电池后制绒制法及电池在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定激光开口方式的背接触电池后制绒制法及电池，其形成第二半导体开口区的过程包括：将目标硅片由上料位旋转至CCD相机位，通过CCD相机获取目标硅片的位置信息，并将该位置信息反馈到加工位设置的激光打标机构以及掩膜机构，激光打标机构以及掩膜机构根据反馈的位置信息进行对位位置调整；通过激光打标机构发出的激光，经掩膜板后打在待加工的目标硅片上。本发明能够使得第二半导体开口区边沿平整，最大限度缩小第二半导体开口区中激光开口边沿过渡区占比，同时有效改善开口区域与非开口区域交界处的坡度，在电池体少子寿命测试中体现为Josc有明显改善，从而提升电池效率。

本发明授权具有特定激光开口方式的背接触电池后制绒制法及电池在权利要求书中公布了：1.一种具有特定激光开口方式的背接触电池后制绒制法，包括：在硅片背面依次沉积第一半导体层、掩膜层，之后在背面进行第一激光开口形成第二半导体开口区，然后进行制绒清洗，之后在背面沉积第二半导体层，其特征在于，进行第一激光开口形成第二半导体开口区的过程包括：事先在加工位设置激光打标机构、包含掩膜板的掩膜机构，掩膜板设置在激光打标机构和加工位上的目标硅片之间，且控制掩膜板与加工位上的目标硅片之间的距离d为0.5mm-2mm；其中掩膜板上设置栅状的镂空区域；掩膜板的单条栅状镂空区域的宽度D大于第二半导体开口区的宽度，Dd=0.26-0.54：1；在第一激光开口时，将目标硅片由上料位旋转至CCD相机位，通过CCD相机获取目标硅片的位置信息，并将该位置信息反馈到加工位设置的激光打标机构以及掩膜机构，激光打标机构以及掩膜机构根据反馈的位置信息进行对位位置调整；待目标硅片由CCD相机位旋转至加工位时，通过激光打标机构发出的激光，经掩膜板后打在待加工的目标硅片上，形成第二半导体开口区。

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