上海邦芯半导体科技有限公司向浪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种晶圆等离子刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119419113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510008751.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种晶圆等离子刻蚀设备是由向浪;王兆祥;李可;涂乐义;梁洁;王亮;彭国发设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆等离子刻蚀设备在说明书摘要公布了：本说明书实施例提供一种晶圆等离子刻蚀设备，包括：热台，晶圆放置于热台上，热台周向边缘处开设有若干气体馈入孔；管道组件，管道组件用于向若干气体馈入孔内通入气体；调节机构，调节机构可对若干气体馈入孔吹向晶圆的气体速度和或气体量进行调节，以使得晶圆上方的流场发生改变。通过在热台的周向边缘处开设若干气体馈入孔，管道组件向气体馈入孔内通入气体，气体经由气体馈入孔吹向晶圆处，可对晶圆上方的气体流场进行改变，通过调节机构对气体馈入孔吹向晶圆的气体速度或气体量进行调节，可控制气体的影响范围，从而实现对晶圆上方的气体流场进行调节，保证晶圆刻蚀的均匀性。
本发明授权一种晶圆等离子刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆等离子刻蚀设备，其特征在于，包括：热台，所述晶圆放置于所述热台上，所述热台周向边缘处开设有若干气体馈入孔；管道组件，所述管道组件用于向若干所述气体馈入孔内通入气体，所述管道组件包括主管道和若干支管道，所述主管道的第一端穿过所述热台与外部供气系统相连通，所述主管道的第二端与若干所述支管道相连通，若干所述支管道分别与若干所述气体馈入孔相连通；调节机构，所述调节机构可对若干所述气体馈入孔吹向所述晶圆的气体速度和或气体量进行调节，以使得所述晶圆上方的流场发生改变，所述调节机构包括盖板和升降机构，所述盖板包括升降部和调节部，所述调节部至少部分延伸到所述气体馈入孔的上方，所述升降部与所述升降机构相连接，所述升降机构带动所述升降部运动，以使得所述调节部朝向靠近或远离所述气体馈入孔方向运动。
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