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龙图腾网获悉苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请的专利一种功率半导体器件封装烧结评估方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411959698.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种功率半导体器件封装烧结评估方法及系统是由郝建勇;张振中设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件封装烧结评估方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率半导体器件封装烧结评估方法及系统，属于半导体器件封装技术领域，其具体包括：在烧结时，借助炉内温度传感器与时间记录器以预设间隔记录数据形成温度‑时间曲线；烧结后，先经X射线初步扫描器件，存在分层、大尺寸空洞缺陷则标记不合格；无缺陷时，依据曲线确定固相反应起始与完成温度及对应时间点，计算有效烧结时间，结合器件型号与封装工艺要求设定的标准范围判断其是否合格；若烧结时间不合格，对器件开展电性能和热性能测试，设偏差阈值，当电性能、热性能正常且烧结时间符合条件时判定封装烧结合格，否则为不合格；此方法基于多维度检测与分析，全面评估功率半导体器件封装烧结质量，提升了器件的可靠性与性能。

本发明授权一种功率半导体器件封装烧结评估方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件封装烧结评估方法，其特征在于，包括：步骤S1：在烧结过程中，通过器件封装烧结炉内安装的温度传感器和时间记录器以预设的时间间隔记录温度值与对应的时间点，形成温度-时间曲线数据；步骤S2：烧结完成后，利用X射线检测设备对器件进行初步扫描，查看是否存在分层、大尺寸空洞缺陷，若不存在缺陷，则标记该器件烧结合格；步骤S3：若存在缺陷，则从采集的温度-时间曲线数据中，确定固相反应起始温度和烧结完成温度，并根据固相反应起始温度和烧结完成温度，确定温度达到固相反应起始温度的时间点和达到烧结完成温度的时间点，并计算有效烧结时间；步骤S4：根据功率半导体器件的型号与封装工艺要求，设置器件的标准有效烧结时间范围，并将计算得到的有效烧结时间与设置的标准效烧结时间范围进行对比，判断该器件烧结时间是否合格；步骤S5：若器件烧结时间不合格，则对该器件进行电性能和热性能测试，并设置偏差阈值，若电性能和热性能测试结果均在正常范围内，且烧结时间在合格区间或虽超出但小于偏差阈值，则最终判定该功率半导体器件封装烧结合格，若电性能或热性能测试结果出现异常，且烧结时间不在合格区间，则判定该器件封装烧结不合格。

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