买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安航天民芯科技有限公司申请的专利一种RC振荡器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119382628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411958039.4，技术领域涉及：H03B5/24；该发明授权一种RC振荡器电路是由刘仕莹;夏雪;王婉;陈勇;任钰狄;王晓飞;孙权设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种RC振荡器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种RC振荡器电路，涉及电源管理技术领域，包括：电流产生模块，其输入端与电源连接，用于产生充电电流；包括PMOS管P1和P2、NMOS管N1‑N3和电阻R1，斜坡电压产生模块，其输入端与电流产生模块的输出端连接，包括PMOS管P3和P4、NMOS管N4和电容，PMOS管P1‑P3的尺寸相同；时钟产生模块，其输入端与斜坡电压产生模块输出端连接，输出与D触发器输入连接；包括NMOS管N5，NMOS管N5的栅极与N4的漏极连接。本发明电路可以不需要比较器，只需要输入电源电压就可以产生时钟信号，且时钟周期与电源电压无关。

本发明授权一种RC振荡器电路在权利要求书中公布了：1.一种RC振荡器电路，其特征在于，包括：电流产生模块，其输入端与电源连接，用于产生充电电流；所述电流产生模块包括PMOS管P1和P2、NMOS管N1、N2和N3以及电阻R1，PMOS管P1和P2为电流镜，NMOS管N1和N2为共栅结构，PMOS管P1和P2的源极与电源连接，漏极分别与NMOS管N1和N2的漏极连接；所述电阻R1一端与NMOS管N1的源极连接，另一端接地；NMOS管N3的漏极与N2的源极以及N3的栅极连接，栅极与N2的源极连接，源极接地；斜坡电压产生模块，其输入端与电流产生模块的输出端连接，包括PMOS管P3和P4、NMOS管N4和电容C1，PMOS管P1、P2和P3的尺寸相同；PMOS管P4的源极和P3的漏极连接；NMOS管N4的栅极与PMOS管P4的栅极和D触发器的输入连接，漏极与P4的漏极以及电容C1的正极板连接，源极接地；所述充电电流对电容C1进行充电，得到斜坡电压；时钟产生模块，其输入端与斜坡电压产生模块输出端连接，输出端与D触发器输入连接；所述时钟产生模块包括NMOS管N5，所述NMOS管N5的栅极与N4的漏极连接；所述NMOS管N5和N3的尺寸相同；当斜坡电压大于NMOS管N5的阈值电压时，NMOS管N5的源极电压降低，NMOS管N4的栅极电压升高，斜坡电压降低，此时电容C1放电；电容C1立即放电至0时，斜坡电压小于NMOS管N5的阈值电压，充电电流对电容C1进行充电，NMOS管N4的栅极电压降低，并产生周期为T的脉冲信号，经过D触发器后生成周期性的时钟信号；所述时钟产生模块还包括PMOS管P5、P6、P7、P8和P9以及NMOS管N6、N7和N8；PMOS管P5的源极与电源连接，栅极与PMOS管P1的漏极以及PMOS管P1、P2、P3和P6的栅极连接，漏极与NMOS管N5的漏极、PMOS管P7的栅极以及NMOS管N6的栅极连接；PMOS管P6的源极与电源连接，栅极与PMOS管P1的漏极以及PMOS管P1、P2、P3和P5的栅极连接，漏极与PMOS管P7的源极连接；PMOS管P7的源极与PMOS管P6的漏极连接，栅极与PMOS管P5的漏极、NMOS管N5的漏极以及NMOS管N6的栅极连接，漏极与NMOS管N6的漏极、PMOS管P8的栅极以及NMOS管N7的栅极连接；PMOS管P8的源极与电源连接，栅极与PMOS管P7的漏极、NMOS管N6的漏极以及NMOS管N7的栅极连接，漏极与NMOS管N7的漏极、PMOS管P9的栅极以及NMOS管N8的栅极连接；PMOS管P9的源极与电源连接，栅极与PMOS管P8的漏极、NMOS管N7的漏极以及NMOS管N8的栅极连接，漏极与NMOS管N8的漏极、PMOS管P4的栅极、NMOS管N4的栅极以及D触发器的CLK端口连接；NMOS管N5的漏极与PMOS管P5的漏极、PMOS管P7的栅极以及NMOS管N6的栅极连接，栅极与PMOS管P4的漏极、NMOS管N4的漏极以及电容的正极板连接，源极接地；NMOS管N6的漏极与PMOS管P7的漏极、PMOS管P8的栅极以及NMOS管N7的栅极连接，栅极与PMOS管P5的漏极、NMOS管N5的漏极以及PMOS管P7的栅极连接，源极接地；NMOS管N7的漏极与PMOS管P8的漏极、PMOS管P9的栅极以及NMOS管N8的栅极连接，栅极与PMOS管P7的漏极、NMOS管N6的漏极以及PMOS管P8的栅极连接，源极接地；NMOS管N8的漏极与PMOS管P9的漏极、PMOS管P4的栅极、NMOS管N4的栅极以及D触发器的CLK端口连接，栅极与PMOS管P8的漏极、NMOS管N7的漏极以及PMOS管P9的栅极连接，源极接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安航天民芯科技有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市高新区锦业路70号卫星大厦5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。