淮安澳洋顺昌光电技术有限公司宋长伟获国家专利权
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龙图腾网获悉淮安澳洋顺昌光电技术有限公司申请的专利多波长发光二极管及发光模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411959534.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权多波长发光二极管及发光模组是由宋长伟;叶大千;连伟杰;郭园;黄理承;芦玲设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本多波长发光二极管及发光模组在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种多波长发光二极管及发光模组。多波长发光二极管包括设置多量子阱层，其沿第一方向包括产生不同波长光的至少m组发光区；多量子阱层中最靠近N型半导体层的第一发光区的第一阱层具有最高的In浓度或最小的禁带宽度；第二发光区设置在第一发光区上，第二阱层的禁带宽度大于或等于第一阱层；第三发光区设置在第二发光区上，第三阱层的禁带宽度大于第二阱层；多量子阱层中设置有缓冲区，其设置于第一发光区和第二发光区之间或者设置于第二发光区内；缓冲区的禁带宽度大于第二阱层。本发明的发光二极管，通过设置缓冲区，配合其余发光区参数设置，可缓解晶格失配，改善发光区的晶体质量，提高发光效率。
本发明授权多波长发光二极管及发光模组在权利要求书中公布了：1.多波长发光二极管，其特征在于，包括：设置于N型半导体层和P型半导体层之间的多量子阱层；定义由所述N型半导体层至所述P型半导体层的方向为第一方向，所述多量子阱层沿所述第一方向包括产生不同波长光的m组发光区，每一发光区至少包括一个阱层和一个垒层，其中，m≥3；所述多量子阱层中最靠近所述N型半导体层的第一发光区中的第一阱层具有最高的In浓度或最小的禁带宽度；包含第二阱层和第二垒层的第二发光区设置在所述第一发光区上，其中，所述第二阱层的禁带宽度大于或等于所述第一阱层；包含第三阱层和第三垒层的第三发光区设置在所述第二发光区上，其中所述第三阱层的禁带宽度大于所述第二阱层；所述多量子阱层还包括一缓冲区；所述缓冲区设置于所述第一发光区和所述第二发光区之间，或者所述缓冲区设置于所述第二发光区内；所述缓冲区的禁带宽度大于所述第二阱层。
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