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龙图腾网获悉杭州飞思特电源科技有限公司申请的专利一种理想二极管的控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119362864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411942558.1，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种理想二极管的控制电路是由夏俊;王佳伟;周浩然;郝泓滨设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种理想二极管的控制电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种理想二极管的控制电路，涉及二极管控制电路技术领域，包括mosfetQ6、电压比电路、提供不同偏置电流的镜像电流源电路与快速关断电路，所述镜像电流源电路对所述电压比电路中的电流进行控制分配，有效控制所述mosfetQ6的正向导通电压值，本发明通过镜像电流源提供不同的偏置电流，利用电流之间的差异调节mosfet源极与漏极之间的正向导通电压降，而且在电流出现反向流动式，可以通过对电流的两级放大加速对所述mosfet的栅极放电，实现对所述mosfet的快速关闭，能达到精确控制mosfet的开关过程随电流的变化而变化，可以实现电流的单相流动和极低的VF电压。

本发明授权一种理想二极管的控制电路在权利要求书中公布了：1.一种理想二极管的控制电路，其特征在于：包括mosfetQ6、电压比较电路、提供不同偏置电流的镜像电流源电路与快速关断电路，所述电压比较电路连接在所述mosfetQ6的源极与漏极之间，所述镜像电流源电路对所述电压比较电路中的电流进行控制分配，随时调节所述mosfetQ6的源极与漏极电压差，有效控制所述mosfetQ6的正向导通电压值，而所述快速关断电路利用对电流的两级放大加速对所述mosfetQ6的栅极放电，实现对所述mosfetQ6的快速关闭，能达到精确控制所述mosfetQ6的开关过程随电流的变化而变化，所述电压比较电路包括晶体三极管Q3与晶体三极管Q4，晶体二极管D2与晶体二极管D3，所述晶体三极管Q3的集电极与晶体三极管Q1的集电极之间连接，所述晶体三极管Q3的发射极与所述晶体二极管D2的阳极连接，所述晶体二极管D2的阴极与所述mosfetQ6的源极之间连接，所述晶体三极管Q4的基极与集电极之间相互连接，所述晶体三极管Q4的发射极与所述晶体二极管D3的阳极连接，所述晶体二极管D3的阴极与所述mosfetQ6的漏极之间连接，所述快速关断电路包括晶体二极管D1、电阻R3与晶体三极管Q5，所述电阻R3的一端与所述晶体三极管Q1的集电极之间连接，另一端与所述mosfetQ6的栅极连接，所述晶体三极管Q5的发射极与所述电阻R3连接，所述晶体三极管Q5的集电极与所述mosfetQ6的源极之间连接，所述晶体三极管Q5的基极与所述晶体三极管Q3的集电极之间连接，所述晶体三极管Q5的发射极与所述晶体三极管Q5的基极之间串联有所述晶体二极管D1。

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