买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种带有导气槽结构的半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411854997.7，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种带有导气槽结构的半导体器件及其制备方法是由张宇;黄振;朱平;王程功;郑鹏远;刘全胜;李明设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有导气槽结构的半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种带有导气槽结构的半导体器件及其制备方法，属于半导体器件及其加工工艺技术领域。本发明是在带有预留切割道的硅基CMOS表面沉积第一金属层，再在蓝宝石硅衬底的GaN外延片表面蒸镀ITO薄膜并进行退火处理，沉积第二金属层后利用IBE工艺刻蚀或者金属剥离工艺得到网格状的导气槽结构；将导气槽与预留切割道对准后进行超声共晶键合，最后在衬底的背面沿着导气槽结构切透衬底、N‑GaN层和量子阱层，使导气槽与空气连通；再将蓝宝石衬底通过激光剥离掉或将硅衬底研磨掉，然后对N‑GaN层进行减薄，从而制备得到具有导气槽结构的半导体器件。本发明所述方法不需要使用高精度键合设备，从而降低了设备投入，具有良好的技术效果。

本发明授权一种带有导气槽结构的半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带有导气槽结构的半导体器件的制备方法，其特征在于：其步骤如下，A、在带有预留切割道的硅基CMOS表面制备第一金属层：（1）在带有预留切割道的硅基CMOS表面使用蒸镀、磁控溅射或者电镀工艺沉积“钛层-铂层”为叠层重复单元的单叠层结构或多叠层结构，钛层的厚度为15~50nm，铂层的厚度为15~50nm；（2）在步骤（1）最外面的铂层表面使用蒸镀、磁控溅射或者电镀工艺沉积“金层-锡层”为叠层重复单元的单叠层结构或多叠层结构，金层的厚度为15~50nm，锡层的厚度为15~50nm；（3）在步骤（2）最外面的锡层表面使用蒸镀、磁控溅射或者电镀工艺沉积厚度为80~120nm的单一金层，从而在带有预留切割道的硅基CMOS表面制备得到由“钛层-铂层”叠层结构、“金层-锡层”叠层结构和单一金层构成的第一金属层；B、在清洗后的蓝宝石硅衬底的GaN外延片表面制备ITO薄膜和第二金属层：（1）在清洗后的蓝宝石硅衬底的GaN外延片表面使用电子束蒸发工艺蒸镀150~250nm厚的ITO薄膜，并进行退火处理；（2）在步骤（1）的ITO薄膜表面使用蒸镀、磁控溅射或者电镀工艺沉积厚度为80~120nm的铬层作为阻挡保护层；（3）在步骤（2）的铬层表面使用蒸镀、磁控溅射或者电镀工艺沉积“钛层-铂层”为叠层重复单元的单叠层结构或多叠层结构，钛层的厚度为15~50nm，铂层的厚度为15~50nm；（4）在步骤（3）最外面的铂层表面使用蒸镀、磁控溅射或者电镀工艺沉积“锡层-金层”为叠层重复单元的单叠层结构或多叠层结构，锡层的厚度为30~50nm，金层的厚度为15~50nm；从而在蓝宝石硅衬底的GaN外延片表面制备得到ITO薄膜和由铬层、“钛层-铂层”叠层结构、“锡层-金层”叠层结构构成的第二金属层；蓝宝石硅衬底的GaN外延片为衬底N-GaN量子阱P-GaN结构，衬底为蓝宝石衬底或硅衬底；C、在步骤B得到的蓝宝石硅衬底的GaN外延片表面利用IBE工艺刻蚀或者金属剥离工艺得到网格状的导气槽，导气槽的宽度小于硅基CMOS表面预留切割道的宽度；导气槽的深度需刻透第二金属层、ITO薄膜及P-GaN层的一部分，保留完整的量子阱层和N-GaN层；D、将步骤C得到的GaN外延片的第二金属层表面与步骤A得到的硅基CMOS的第一金属层表面以GaN外延片在上、硅基CMOS在下的方式进行表面贴合，并将GaN外延片表面的导气槽与硅基CMOS的预留切割道对准，对准是使导气槽的对称中心线与硅基CMOS的预留切割道的对称中心线相重合；然后进行超声共晶键合，最后逐渐降温到室温；E、使用刀轮切割的方式，在蓝宝石硅衬底的衬底一侧沿着导气槽结构切透衬底、N-GaN层和量子阱层，使导气槽结构与空气连通；再将蓝宝石衬底通过激光剥离掉或将硅衬底研磨掉，然后对N-GaN层进行减薄，从而制备得到具有导气槽结构的半导体器件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人微玖(苏州)光电科技有限公司，其通讯地址为：215127 江苏省苏州市苏州工业园区双溇里路3号传奇大厦1楼101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。