荣芯半导体(淮安)有限公司陈雪晴获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(淮安)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411833963.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由陈雪晴设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，在所述衬底的表面上形成栅极结构，在所述栅极结构的两侧的所述衬底中分别形成有源极和漏极，所述浅沟槽隔离结构位于所述漏极或所述源极的外侧且远离所述栅极结构；在所述源极和所述漏极的至少一者中形成至少一个凹槽；形成介质层，覆盖所述衬底的表面并填充所述凹槽。通过在源极或漏极的至少一者中形成至少一个凹槽，并填充凹槽，通过增加的凹槽，可以降低MOS器件沟道表面垂直方向的应力，从而使有源区的应力分布更均匀，进而保障器件的电学性能。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，在所述衬底的表面上形成栅极结构，在所述栅极结构的两侧的所述衬底中分别形成有源极和漏极，所述浅沟槽隔离结构位于所述漏极或所述源极的外侧且远离所述栅极结构；在所述源极和所述漏极的至少一者中形成至少一个凹槽；沉积形成介质层，覆盖所述衬底的表面并填充所述凹槽。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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