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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910572382.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由唐睿智;李波;刘琳;黄豪俊;刘佳磊设计研发完成，并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底及凸出于所述基底的鳍部，所述基底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域的鳍部上形成第一功函数层；在所述第一功函数层上形成第二功函数层；在所述第二功函数层上形成第三功函数层；在所述第三功函数层上形成保护层；在所述第一区域和第二区域的基底上形成光刻胶涂层，所述光刻胶涂层覆盖所述保护层；去除所述第一区域的所述光刻胶涂层，露出所述第一区域的保护层；去除露出的所述保护层；去除所述第一区域的所述第三功函数层。本发明有助于保护所述第一区域的所述第二功函数层，防止去除所述第一区域的所述光刻胶涂层的工艺中，所述第一区域的所述第二功函数层受到刻蚀。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供基底及凸出于所述基底的鳍部，所述基底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域的鳍部上形成第一功函数层；在所述第一功函数层上形成第二功函数层；在所述第二功函数层上形成第三功函数层；在所述第三功函数层上形成保护层；在所述第一区域和第二区域的基底上形成光刻胶涂层，所述光刻胶涂层覆盖所述保护层；去除所述第一区域的所述光刻胶涂层，露出所述第一区域的保护层；去除露出的所述保护层；去除所述第一区域的所述第三功函数层；去除所述第二区域的所述光刻胶涂层；去除所述第二区域的所述保护层；在所述第一区域的所述第二功函数层上形成第四功函数层，在所述第二区域的第三功函数层上形成第五功函数层；其中，所述保护层用于在去除所述光刻胶涂层的过程中保护所述第一区域的第三功函数层，进而保护所述第一区域的第二功函数层，避免所述第一区域的第二功函数层受到损伤；形成所述光刻胶涂层后，去除所述第一区域的所述光刻胶涂层前，还包括：在所述光刻胶涂层顶部形成氧化层。

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