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龙图腾网恭喜苏州安洁科技股份有限公司申请的专利具有双对称零点的耦合结构及高抑制介质波导滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112366431B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010174253.6，技术领域涉及：H01P1/20；该发明授权具有双对称零点的耦合结构及高抑制介质波导滤波器是由黄振新;叶辰健;薛文斌设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有双对称零点的耦合结构及高抑制介质波导滤波器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有双对称零点的耦合结构及高抑制介质波导滤波器，其中，耦合结构包括介质基体，介质基体的上表面沿中轴线对称设置有两个第一谐振腔，介质基体的上表面设有第二谐振腔，介质基体的侧边位于所述第一谐振腔和第二谐振腔之间设有第一贯通槽，两个第一谐振腔之间设有两个第二贯通槽，两所述第二贯通槽之间形成有耦合口，位于同一侧的两个所述第二谐振腔之间设有第三谐振腔，所述第三谐振腔与所述耦合口相对应。本发明通过采用8个谐振腔，形成两对对称平衡性传输零点，在谐振腔数量有限的基础上大大提高了滤波器的抑制性能，同时本方案可广泛引用于介质波导滤波器，从而能够缩减滤波器尺寸的同时提高通带的抑制度。

本发明授权具有双对称零点的耦合结构及高抑制介质波导滤波器在权利要求书中公布了：1.一种具有双对称零点的耦合结构，其特征在于，包括呈矩形设置的介质基体，所述介质基体的上表面沿中轴线对称设置有两对第一谐振腔，所述介质基体的上表面的一侧设有两个分别位于中轴线两侧的第二谐振腔，所述介质基体的侧边位于所述第一谐振腔和所述第二谐振腔之间设有第一贯通槽，两对所述第一谐振腔之间设有两个第二贯通槽，两所述第二贯通槽之间形成有耦合口，位于同一侧的两个所述第一谐振腔之间设有第三谐振腔，所述第三谐振腔与所述耦合口相对应；位于同一侧的所述第一谐振腔和所述第二谐振腔之间形成第一主耦合，两所述第一主耦合之间形成第一交叉耦合，两所述第二谐振腔之间设有第四谐振腔，所述第四谐振腔形成第二主耦合；位于同一侧的所述第一谐振腔和所述第三谐振腔之间形成有第三主耦合，两所述第三主耦合之间形成有第二交叉耦合；其中，所述第三谐振腔的轴心连线偏离所述耦合口的中心，且靠近所述介质基体的中心，此时位于右侧的传输零点偏离通带更远，左侧传输零点则更靠近通带，或者所述第三谐振腔的轴心连线偏离所述耦合口的中心，且靠近所述介质基体的外端，此时位于右侧的传输零点偏离通带更靠近，左侧传输零点则更偏离通带。

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