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龙图腾网恭喜国际商业机器公司申请的专利基于磁畴壁的非易失性、线性和双向突触权重元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113508469B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080018104.9，技术领域涉及：H10D48/40；该发明授权基于磁畴壁的非易失性、线性和双向突触权重元件是由A.普什普;P.纳拉亚南设计研发完成，并于2020-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于磁畴壁的非易失性、线性和双向突触权重元件在说明书摘要公布了：一种磁性双隧道结MDTJ其优选地具有大的纵横比，其中MDTJ的长度L＞MDTJ的宽度w在MDTJ的自由层中具有磁畴壁或DW，其中响应于MDTJ两端的电压脉冲的极性、幅度和持续时间而影响DW在自由层上的受控移动。DW的运动和相对位置使得MDTJ的电导率其是在MDTJ上测量的以对称和线性方式变化。通过反转偏置电压的极性，可以反转DW运动的创建和或方向，从而允许对输入脉冲的双向响应。

本发明授权基于磁畴壁的非易失性、线性和双向突触权重元件在权利要求书中公布了：1.一种调节突触权重元件的电导率的方法，所述突触权重元件包括：上部电触点；直接位于所述上部电触点下方的第一磁性参考层；直接位于所述第一磁性参考层下方的第一绝缘隧道势垒；直接位于所述第一绝缘隧道势垒下方的磁性自由层；直接位于所述磁性自由层下方的第二绝缘隧道势垒；直接位于所述第二绝缘隧道势垒下方的第二磁性参考层，以及直接位于所述第二磁性参考层下方的下部电触点，所述第一和第二绝缘隧道势垒具有不同的电阻；所述方法包括：当要增加所述突触权重元件的电导率时，在所述上部电触点和所述下部电触点之间施加第一偏置电压V，使得第一偏置电压V引起第一绝缘隧道势垒两端的第一电压V1，并且引起第二绝缘隧道势垒两端的第二电压V2，其中V＝V1+V2且V1≠V2，其中第一偏置电压V在第一方向上在所述磁性自由层中创建和或移动至少一个磁畴壁，其中所述第一方向上的所述至少一个磁畴壁的创建和或移动增加所述突触权重元件的电导率；以及当要减小所述突触权重元件的电导率时，在所述上部电触点和所述下部电触点之间施加第二偏置电压V'，所述第二偏置电压V'的极性与所述第一偏置电压V的极性相反，所述第二偏置电压V'引起所述第一绝缘隧道势垒两端的第三电压V3，并且引起所述第二绝缘隧道势垒两端的第四电压V4，其中V'＝V3+V4且V3≠V4，并且所述第二偏置电压V'在与所述第一方向相反的第二方向上在所述磁性自由层中创建和或移动至少一个磁畴壁，并且其中所述第二方向上的所述至少一个磁畴壁的创建和或移动减小所述突触权重元件的电导率。

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