恭喜台湾积体电路制造股份有限公司刘思麟获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置和制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112531012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010104334.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法是由刘思麟;洪照俊设计研发完成，并于2020-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括基板和在基板中的多个源极漏极SD区域，其中多个源极漏极区域中的每一者包括具有第一掺杂剂类型的第一掺杂剂，并且多个源极漏极区域中的每一者电性耦合在一起。半导体装置还包括在基板上方的栅极堆叠。半导体装置还包括在基板中的通道区域，其中通道区域在栅极堆叠下方且在多个源极漏极区域中的相邻的源极漏极区域之间，通道区域包括具有第一掺杂剂类型的第二掺杂剂，并且在通道区域中第二掺杂剂的浓度小于多个源极漏极区域每一者中的第一掺杂剂的浓度。
本发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一基板；多个源极漏极区域，在该基板中，其中所述多个源极漏极区域的每一者包括p型的一第一掺杂剂；多个接触件，电性连接至所述多个源极漏极区域；一栅极堆叠，在该基板上方；一通道区域，在该基板中，其中该通道区域在该栅极堆叠下方且在介于所述多个源极漏极区域的相邻的源极漏极区域之间，该通道区域包括p型的一第二掺杂剂，并且该通道区域中的该第二掺杂剂的一浓度小于所述多个源极漏极区域的每一者中的该第一掺杂剂的一浓度；一n阱，该n阱在该基板中，其中该n阱在该通道区域和所述多个源极漏极区域的所述相邻的源极漏极区域下方延伸；以及一端子，电性连接至所述多个接触件和该n阱，以使包括p型的该第一掺杂剂的所述多个源极漏极区域和该n阱电性耦合在一起。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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