恭喜台湾积体电路制造股份有限公司谢玮庭获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利铁电存贮器装置及其形成方法、和集成芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010121421.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权铁电存贮器装置及其形成方法、和集成芯片是由谢玮庭;蔡竣扬;黄国钦;涂国基;黄建达;吴承润;陈朝阳设计研发完成，并于2020-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电存贮器装置及其形成方法、和集成芯片在说明书摘要公布了：本揭示内容的各实施方式是关于铁电存贮器装置。铁电存贮器装置包括设置在半导体基板中的一对源极漏极区域。栅极介电质设置在半导体基板上方和介于源极漏极区域之间。第一导电结构设置在栅极介电质上。铁电结构设置在第一导电结构上。第二导电结构设置在铁电结构上，其中第一导电结构和第二导电结构两者都具有一整体负电性，此整体负电性大于或等于铁电结构的整体负电性。
本发明授权铁电存贮器装置及其形成方法、和集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种铁电存贮器装置，其特征在于，包含：一对源极漏极区域，设置在一半导体基板中；一栅极介电质，设置在该半导体基板上方和在介于所述源极漏极区域之间；一第一导电结构，设置在该栅极介电质上；一铁电结构，设置在该第一导电结构上；一第二导电结构，设置在该铁电结构上，其中该第一导电结构和该第二导电结构两者具有一整体负电性，该整体负电性大于或等于该铁电结构的一整体负电性；一栅极电极，设置在该第二导电结构上，其中该栅极介电质的侧壁、该第一导电结构的侧壁、该铁电结构的侧壁、该第二导电结构的侧壁、和该栅极电极的侧壁在垂直方向上对准；以及一侧壁间隔物，设置在该半导体基板上方，并且沿着该栅极介电质的侧壁、该第一导电结构的侧壁、该铁电结构的侧壁、该第二导电结构的侧壁、和该栅极电极的侧壁设置。
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