恭喜三星电子株式会社金成玟获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110858581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910658647.6，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体器件及其制造方法是由金成玟;河大元设计研发完成，并于2019-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种器件包括：下半导体衬底；下栅极结构，在下半导体衬底上，下栅极结构包括下栅电极；下层间绝缘膜，在下半导体衬底上；上半导体衬底，在下层间绝缘膜上；上栅极结构，在上半导体衬底上；以及上层间绝缘膜，在下层间绝缘膜上，上层间绝缘膜覆盖上半导体衬底的侧壁。上栅极结构包括在第一方向上延伸的上栅电极以及沿上栅电极的侧壁延伸的栅极侧墙。上栅电极包括在第一方向上延伸的长侧壁以及在第二方向上延伸的短侧壁。栅极侧墙在上栅电极的长侧壁上，而未设置在上栅电极的短侧壁上。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：下半导体衬底；下栅极结构，在所述下半导体衬底上，所述下栅极结构包括下栅电极；下层间绝缘膜，在所述下半导体衬底上，所述下层间绝缘膜覆盖所述下栅极结构；上半导体衬底，在所述下层间绝缘膜上；上栅极结构，在所述下层间绝缘膜上；上层间绝缘膜，在所述下层间绝缘膜上，所述上层间绝缘膜覆盖所述上半导体衬底的侧壁；下栅极触点，与所述下栅电极接触；着陆焊盘，与所述下栅极触点接触；以及上栅极连接触点，连接至上晶体管，所述上晶体管包括上栅电极，其中，所述上栅极连接触点直接连接至所述着陆焊盘，其中，所述上栅极结构包括在第一方向上延伸的上栅电极以及沿所述上栅电极的侧壁延伸的上栅极侧墙，其中，所述上栅电极包括在所述第一方向上延伸的长侧壁、以及在第二方向上延伸的短侧壁，所述第二方向不同于所述第一方向，以及其中，所述上栅极侧墙在所述上栅电极的长侧壁上，而不在所述上栅电极的短侧壁上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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