恭喜三星电子株式会社金禹珍获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利磁阻随机存取存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910540101.0，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁阻随机存取存储器件及其制造方法是由金禹珍;韩慎熙设计研发完成，并于2019-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻随机存取存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种磁阻随机存取存储MRAM器件及其制造方法。根据实施例，MRAM器件可以包括：在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层、延伸穿过单元区域的第一层间绝缘层的下电极接触部、在每个下电极接触部上的第一结构以及在单元区域和外围区域中覆盖第一层间绝缘层和第一结构的表面的覆盖层，所述第一结构包括顺序堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极，其中外围区域中第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面高于单元区域中第一结构之间的第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面。
本发明授权磁阻随机存取存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁阻随机存取存储器件，包括：在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层；延伸穿过所述单元区域的所述第一层间绝缘层的下电极接触部；在每个所述下电极接触部上的第一结构，所述第一结构包括顺序堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极；在所述单元区域和所述外围区域中覆盖所述第一层间绝缘层和所述第一结构的表面的覆盖层；在所述单元区域和所述外围区域中在所述覆盖层上的第二层间绝缘层，以填充所述第一结构之间的间隙；在所述第二层间绝缘层上的第三层间绝缘层；以及在所述外围区域中延伸穿过所述第三层间绝缘层、所述第二层间绝缘层、所述覆盖层和所述第一层间绝缘层的通孔接触部，其中所述外围区域中所述第一层间绝缘层上的所述覆盖层的上表面高于所述单元区域中所述第一结构之间的所述第一层间绝缘层上的所述覆盖层的上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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