恭喜联华电子股份有限公司杨柏宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜联华电子股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834435B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910298721.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权高电子迁移率晶体管是由杨柏宇设计研发完成，并于2019-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，该制作高电子迁移率晶体管的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成第一阻障层于该缓冲层上，形成一图案化掩模于第一阻障层上，形成一第二阻障层于图案化掩模两侧，去除该图案化掩模以形成一凹槽，形成一栅极电极于凹槽内，再形成一源极电极以及一漏极电极于栅极电极两侧。
本发明授权高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管highelectronmobilitytransistor,HEMT，其特征在于，包含：缓冲层，设于基底上；阻障层，设于该缓冲层上；栅极介电层，设于该阻障层上；功函数金属层，设于该栅极介电层上，其中该功函数金属层包含P型金属氧化层，其中该P型金属氧化层包含U形部分以及两个水平部分别连接该U形部分两侧；栅极电极，设于该功函数金属层上，其中该栅极电极未覆盖该P型金属氧化层的该两个水平部；以及源极电极以及漏极电极，分别设于该栅极电极两侧，其中该源极电极接触该栅极介电层以及该功函数金属层侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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