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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利晶体管、晶体管阵列、个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列及形成晶体管阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112106196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980030481.1，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权晶体管、晶体管阵列、个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列及形成晶体管阵列的方法是由D·V·N·拉马斯瓦米设计研发完成，并于2019-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管、晶体管阵列、个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列及形成晶体管阵列的方法在说明书摘要公布了：本发明揭示一种晶体管，其包括在至少一个直线垂直横截面中是大体上L形或大体上镜像L形借此具有在竖向上延伸的杆及在所述杆的底部上方从所述杆的横向侧水平延伸的基底的半导体材料。所述杆的所述半导体材料包括上源极漏极区域及在其下方的沟道区域。所述晶体管包括a及b中的至少一者，其中a：所述杆的所述半导体材料包括在所述沟道区域下方的下源极漏极区域，及b：所述基底的所述半导体材料包括下源极漏极区域。栅极可操作地横向邻近所述杆的所述沟道区域。揭示其它实施例，其包含个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列。揭示方法。

本发明授权晶体管、晶体管阵列、个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列及形成晶体管阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元阵列，其个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管，所述阵列包括字线的行及数字线的列，其包括：所述列中的个别者包括在所述阵列内的个别存储器单元的在竖向上延伸的晶体管的沟道区域下方的数字线且将所述列中的所述晶体管互连，所述沟道区域个别包括一对相对横向侧；所述行中的个别者包括所述数字线上方的字线，所述字线跨所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的一者横向延伸且可操作地横向邻近所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的所述者且将所述行中的所述晶体管互连，所述行中的所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的另一者未可操作地横向邻近所述行中的所述字线且未可操作地横向邻近所述字线中的任何其它者；且所述阵列内的所述个别存储器单元的电容器个别包括：第一电容器电极，其电耦合到所述晶体管中的一者的上源极漏极区域且在竖向上从所述上源极漏极区域向上延伸；在竖向上延伸的电容器绝缘体，其包括一对横向相对侧，所述电容器绝缘体的所述横向相对侧中的一者可操作地邻近所述第一电容器电极的横向侧；及在竖向上延伸的第二电容器电极，其包括一对横向相对侧，所述第二电容器电极的所述横向相对侧中的一者可操作地邻近所述电容器绝缘体的所述另一横向相对侧，所述阵列内的所述第二电容器电极是沿着所述电容器的线水平延伸的纵向间隔的伸长线，所述第二电容器电极线中的个别者由纵向沿着电容器的所述线的电容器共享。

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