恭喜三菱瓦斯化学株式会社菊永孝裕获国家专利权
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龙图腾网恭喜三菱瓦斯化学株式会社申请的专利用于去除干蚀刻残渣的清洗液及使用其的半导体基板的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111837218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980018203.4,技术领域涉及:H01L21/304;该发明授权用于去除干蚀刻残渣的清洗液及使用其的半导体基板的制造方法是由菊永孝裕;堀江宏彰;青山公洋;田岛恒夫设计研发完成,并于2019-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于去除干蚀刻残渣的清洗液及使用其的半导体基板的制造方法在说明书摘要公布了:根据本发明,可以提供如下清洗液,其含有:胺化合物A0.2~20质量%、水溶性有机溶剂B40~70质量%及水,前述胺化合物A含有选自由正丁胺、己胺、辛胺、1,4‑丁二胺、二丁胺、3‑氨基‑1‑丙醇、N,N‑二乙基‑1,3‑二氨基丙烷、及双六亚甲基三胺组成的组中的1者以上,并且前述水溶性有机溶剂B在20℃下的粘度为10mPa·s以下,所述清洗液的pH为9.0~14的范围。
本发明授权用于去除干蚀刻残渣的清洗液及使用其的半导体基板的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种清洗液,其含有:胺化合物A0.2~20质量%、水溶性有机溶剂B40~70质量%、及水,所述胺化合物A含有选自由正丁胺、己胺、辛胺、1,4-丁二胺、二丁胺、N,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷、及双六亚甲基三胺组成的组中的1者以上,并且所述水溶性有机溶剂B在20℃下的粘度为10mPa·s以下,所述水溶性有机溶剂B含有选自由二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、二丙二醇单甲醚、及N,N-二甲基异丁酰胺组成的组中的1者以上,所述清洗液的pH为9.0~14的范围。
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