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龙图腾网恭喜浙江求是创芯半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司申请的专利一种用于外延生长系统的气体注射装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109338464B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811328247.0，技术领域涉及：C30B25/14；该发明授权一种用于外延生长系统的气体注射装置是由沈文杰;傅林坚;潘文博;汤承伟;董医芳;麻鹏达;章杰峰;曹建伟设计研发完成，并于2018-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于外延生长系统的气体注射装置在说明书摘要公布了：本发明属于晶体外延生长设备领域，具体涉及一种用于外延生长系统的气体注射装置。包括反应腔，反应腔包括前空腔和后腔，后腔内设有水平基座，基座上端面用于放置衬底，下端连接旋转轴，气体注射装置通过前法兰设于反应腔前端，主体为进气法兰，中部设有第二空腔，第二空腔后端与反应腔连通，第一空腔通过歧管构件连接第二空腔；气体注射装置前端连接封板，封板后端设有一水平凸起，凸起的上表面为圆弧曲面。排气装置通过后法兰设于反应腔后端。本发明提升了外延层的生长质量，不仅提升了外延层的厚度均匀性，还减少了晶体缺陷的产生，以满足市场对外延层质量日益严格的要求。

本发明授权一种用于外延生长系统的气体注射装置在权利要求书中公布了：1.一种用于外延生长系统的气体注射装置，其特征在于，包括反应腔、气体注射装置与排气装置；所述反应腔包括前空腔和后腔，后腔内设有水平基座，基座上端面用于放置衬底，下端连接旋转轴，旋转轴延伸至反应腔外，并与外部的驱动装置相连；所述气体注射装置通过前法兰设于反应腔前端；所述气体注射装置主体为进气法兰，中部设有第二空腔，第二空腔后端与反应腔连通，第二空腔前端面为14圆弧形状的曲面，第二空腔前端圆弧曲面右端点的高度与第二空腔的下底面等高，即第二空腔前侧的圆弧曲面与下底面是圆滑过渡的；所述进气法兰顶部开有第一进气口，第二空腔上方设有第一空腔，第一空腔包括两部分，即通过岐管构件分成的右侧的气体缓冲腔A和左侧的气体分配室B；所述歧管构件包括底板，底板水平方向上沿直线布有若干孔组，每个孔组内包括若干有一定间隔、孔径相同的竖向通孔；位于正中位置的孔组直径最大，两侧的孔组关于正中孔组对称，且孔组的孔径自中间向两侧递减；第一进气口与气体缓冲腔A通过通道相连，气体分配室B通过岐管构件上的通孔连接第二空腔，岐管构件上的通孔与第二空腔前端面对应设置；气体注射装置前端连接封板，封板后端设有一水平凸起，凸起的上表面为圆弧曲面，形状与第二空腔的前端形状相适配；其中，当工艺气体从第一进气口进入气体注射装置时，由于连接第一进气口与气体缓冲腔A的通道变窄，工艺气体被增压，增压气流进入气体缓冲腔A，经过气体缓冲腔A腔壁的反射，减速的气体回流与增压气流混合一起进入到气体分配室B；所述排气装置通过后法兰设于反应腔后端。

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