恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张书维获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109817581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811251062.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权形成半导体结构的方法是由张书维;曾建华;吴中书;蔡雅怡;陈嘉仁;魏安祺设计研发完成，并于2018-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体结构的方法在说明书摘要公布了：一种形成半导体结构的方法包括：在半导体基板中的浅沟槽隔离STI材料上方形成多个金属栅极堆叠；形成围绕金属栅极堆叠的栅极间隔件；在浅沟槽隔离材料上方形成层间介电层；凹陷层间介电层与栅极间隔件至低于金属栅极堆叠的顶表面的一高度处；在已凹陷的层间介电层与该栅极间隔件上方形成多个护盔结构；以及在形成护盔结构之后，蚀刻金属栅极堆叠直到到达浅沟槽隔离材料。
本发明授权形成半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：在半导体基板中的浅沟槽隔离材料上方形成多个金属栅极堆叠；形成围绕所述多个金属栅极堆叠的一栅极间隔件；在该浅沟槽隔离材料上方形成层间介电层；将该层间介电层与该栅极间隔件凹陷至低于所述多个金属栅极堆叠的顶表面的高度；在凹陷的该层间介电层与该栅极间隔件上方形成多个护盔结构；以及在形成所述多个护盔结构之后，蚀刻所述多个金属栅极堆叠直到到达该浅沟槽隔离材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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