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龙图腾网恭喜苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体器件及包括其的半导体器件封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210482686.7，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权半导体器件及包括其的半导体器件封装是由吴炫智;崔洛俊;金炳祚设计研发完成，并于2017-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及包括其的半导体器件封装在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，半导体器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；其中，有源层包括多个阻挡层和阱层，阻挡层、阱层、第一导电型半导体层及第二导电型半导体层包括铝，第二导电型半导体层包括铝组成随远离有源层而以一斜率渐小的半导体层。

本发明授权半导体器件及包括其的半导体器件封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的有源层，其中，所述有源层包括多个阻挡层和多个阱层，所述阻挡层、所述阱层、所述第一导电型半导体层及所述第二导电型半导体层包括铝，所述第二导电型半导体层包括第2-2导电型半导体层和布置在所述第2-2导电型半导体层上的第2-1导电型半导体层，所述第2-1导电型半导体层的铝组成越远离所述有源层，以第一斜率越减少，所述第2-2导电型半导体层的铝组成越远离所述有源层，以第二斜率越减少，所述第一斜率大于所述第二斜率，所述2-1导电型半导体层的铝组成小于所述阱层的铝组成，以及所述2-2导电型半导体层的铝组成大于所述阱层的铝组成。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州立琻半导体有限公司，其通讯地址为：215499 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。