恭喜长鑫存储技术有限公司赵忠强获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111403601B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910005114.8，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置是由赵忠强设计研发完成，并于2019-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置，属于半导体技术领域。该嵌入式电容结构的制备方法包括：在一衬底的一侧形成中间层；在中间层远离衬底的一侧形成第一支承层；形成电容孔，电容孔贯穿中间层和第一支承层；形成覆盖电容孔的内表面的第一电极；在第一支承层远离衬底的一侧，以预设方向对第一电极远离衬底的一端的部分区域进行离子注入，预设方向相对电容孔的延伸方向倾斜；去除第一电极被注入离子的区域，使得第一电极具有开口，且开口暴露部分中间层；形成覆盖第一电极的介电层；形成覆盖介电层的第二电极。该制备方法能提高嵌入式电容结构的制备效率和良率。
本发明授权嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式电容结构的制备方法，其特征在于，包括：在一衬底的一侧形成中间层；在所述中间层远离所述衬底的一侧形成第一支承层；形成电容孔，所述电容孔贯穿所述中间层和所述第一支承层；形成覆盖所述电容孔的内表面的第一电极；在所述第一支承层远离所述衬底的一侧，以预设方向对所述第一电极远离所述衬底的一端的部分区域进行离子注入，所述预设方向相对所述电容孔的延伸方向倾斜；去除所述第一电极被注入所述离子的区域，使得所述第一电极具有开口，且所述开口暴露部分所述中间层；去除所述中间层；形成覆盖所述第一电极的介电层；形成覆盖所述介电层的第二电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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