恭喜英飞凌科技股份有限公司G.施密特获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利半导体器件和用于形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109994383B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811549460.4，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权半导体器件和用于形成半导体器件的方法是由G.施密特;M.巴鲁西克;B.施托伊布设计研发完成，并于2018-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和用于形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件和用于形成半导体器件的方法。一种用于形成半导体器件的方法包括将复合中心原子并入到半导体衬底中。所述方法此外包括在并入复合中心原子之后将惰性气体原子注入到二极管结构和晶体管结构中的至少一个的掺杂区中。所述掺杂区被布置在半导体衬底的表面处。
本发明授权半导体器件和用于形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法100、500，所述方法包括：将复合中心原子并入101到半导体衬底中；以及在并入复合中心原子之后将惰性气体原子注入102到二极管结构和晶体管结构中的至少一个的掺杂区中，其中所述掺杂区被布置在半导体衬底的表面处；在并入复合中心原子之前将第一类型的掺杂剂并入105到半导体衬底中，以在半导体衬底的表面处形成掺杂区的非常高度掺杂的部分，其中所述掺杂区的非常高度掺杂的部分的最大掺杂浓度是至少每cm31*1018的掺杂剂。
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