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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利集成电路芯片及熔断器的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110888048B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811042875.2，技术领域涉及：G01R31/327；该发明授权集成电路芯片及熔断器的测试方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路芯片及熔断器的测试方法在说明书摘要公布了：本公开是关于一种集成电路芯片及熔断器的测试方法，包括：衬底、多层导电层、介电层、熔断器和闩锁电路；其中，相邻的所述导电层之间设置有介电层，所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层，所述介电层上设置有接触孔；熔断器位于第一导电层上，所述第一导电层为多层所述导电层中位于最上层的导电层，其中，靠近所述衬底为底层，远离所述衬底为上层；闩锁电路设置在衬底上，和所述熔断器连接。在集成电路芯片测试时，触发闩锁效应，使得闩锁电路中的电流不断增大，直至烧断熔断器，实现了对熔断器测试时的熔断。并且在测试多个熔断器时，只需顺序触发每个熔断器的闩锁电路即可，提升了测试效率，节约了测试时间。

本发明授权集成电路芯片及熔断器的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路芯片，其特征在于，包括：衬底；多层导电层，其中，相邻的所述导电层之间设置有介电层，所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层，所述介电层上设置有接触孔；连接器，位于所述介电层的接触孔中，用于连接所述介电层两侧的导电层；熔断器，位于第一导电层上，所述第一导电层为多层所述导电层中位于最上层的导电层，其中，靠近所述衬底为底层，远离所述衬底为上层；所述第一导电层上设置有第一通孔，所述熔断器位于所述第一通孔中，或者，所述熔断器和所述第一导电层为一体式结构；闩锁电路，设置在衬底中，和所述衬底接触的所述介电层中的所述连接器与所述闩锁电路对应设置，所述闩锁电路通过所述连接器和所述多层导电层与所述熔断器连接；所述熔断器为熔丝，所述熔丝的厚度小于所述第一导电层的厚度。

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