恭喜清华大学南天翔获国家专利权
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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利单向轨道磁阻材料、轨道矩器件及其数据读写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117835799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311662775.0，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权单向轨道磁阻材料、轨道矩器件及其数据读写方法是由南天翔;张跃杰;纪桂萍设计研发完成，并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本单向轨道磁阻材料、轨道矩器件及其数据读写方法在说明书摘要公布了：一种单向轨道磁阻材料、轨道矩器件及其数据读写方法，涉及轨道矩电子领域，所述单向轨道磁阻材料包括叠加的轨道矩层和磁性层，所述轨道矩层和磁性层配置为形成具有单向轨道磁阻的异质结；所述轨道矩层的材料包括具有轨道矩效应的轻金属和轻金属氧化物中的任意一种或多种。本申请的单向轨道磁阻材料可以在室温条件下表现出单向轨道磁阻，有利于推动轨道矩器件的广泛应用。
本发明授权单向轨道磁阻材料、轨道矩器件及其数据读写方法在权利要求书中公布了：1.一种用于轨道矩器件的单向轨道磁阻材料，其特征在于，包括叠加的轨道矩层和磁性层，所述轨道矩层和磁性层配置为形成具有单向轨道磁阻的异质结；所述轨道矩层的材料包括具有轨道矩效应的轻金属和轻金属氧化物中的任意一种或多种；其中，所述轻金属选自钛、铝、镓、钌、钼、钒、铱和银中的任意一种或多种；所述轻金属氧化物选自氧化钛、氧化铝、氧化钌、氧化钒、氧化银和氧化铬中的任意一种或多种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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